[发明专利]基本上没有氧化诱生堆垛层错的掺氮硅无效
| 申请号： | 01815935.4 | 申请日： | 2001-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1461360A | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | H·哈加;T·奥希马;M·巴纳 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基本上 没有 氧化 堆垛 掺氮硅 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司，未经MEMC电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01815935.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像处理设备
- 下一篇：用于同步通信系统中的接收机和发射机的设备
