[发明专利]掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的制备工艺

权利要求书

1.一种掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的制备工艺，是利用Czochralski提拉法、切片等技术制备晶体，其特征在于采用Czochralski提拉法生长晶体时掺镁，之后进行汽相平衡扩散输运工艺，最后使用高压极化电场对晶体进行周期性极化。

2.按照权利要求1所说的掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的制备工艺，其特征在于掺镁是称取计量组成金属元素的Li₂CO₃、Nb₂O₅及MgO，在150℃下恒温2小时将粉料烘干，然后在混料机上充分混合24小时，在850℃恒温2小时，使充分分解，在1100℃煅烧2小时得到掺镁铌酸锂粉料。

3.按照权利要求1所说的掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的制备工艺，其特征在于汽相平衡扩散输运工艺是(1)称取计量组成的Li₂CO₃和Nb₂O₅，在150℃下恒温2小时将粉料烘干，然后在粉料机上充分混合24小时，将粉料压实后，放置到白金坩埚内，在1050℃煅烧2小时成富锂铌酸锂源坩埚。(2)将晶片垂直悬挂在源坩埚上方，用白金盖将坩埚密闭，放入到中频炉加热进行汽相平衡扩散输运，升温梯度为10℃/min，在1100℃恒温120～360个小时，然后自然冷却到室温。

4.按照权利要求1所说的掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的制备工艺，其特征在于使用外加极化电场进行极化是在室温下，将晶片的+Z和-Z面分别与液体电极相连，接到高压脉冲电源，对晶片施加一定脉冲幅度、宽度和个数的方形电脉冲进行极化。

5.按照权利要求1所说的制备掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的制备工艺，其特征在于使用的高压极化电场的脉冲电压是2.5～3KV。

6.按照权利要求1所说的掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的制备工艺，其特征在于使用外加极化电场进行极化是在室温下进行。

7.按照权利要求1所说的掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的制备工艺，其特征在于外加极化电场的电极是液体电极NaCl。

8.按照权利要求1所说的掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的制备工艺，其特征在于晶片极化前进行光刻，刻蚀出按所设计掩膜版结构的扇形金属Al栅格电极，然后在电极上均匀涂抹一层抗蚀胶，最后对晶片进行极化，可得到具有渐变周期的扇形掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体。