[发明专利]用于超高密度记录的垂直磁薄膜无效
| 申请号： | 02101586.4 | 申请日： | 2002-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1366298A | 公开（公告）日： | 2002-08-28 |
| 发明（设计）人： | 李炅珍;李宅东;李仁善;黄玟植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;韩国科学技术院 |
| 主分类号： | G11B5/62 | 分类号： | G11B5/62 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 超高 密度 记录 垂直 薄膜 | ||
1.一种垂直磁记录介质，其中用于引起一个垂直磁记录层的垂直取向的一个底层被叠置在一个基底和该垂直磁记录层之间，其中该垂直磁记录层的厚度被控制在5-40nm的范围内以具有一个负的成核场。
2.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中该垂直磁记录层包含8-20原子％的Pt。
3.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中该垂直磁记录层包含11-20原子％的Pt。
4.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中该垂直磁记录层包含11-18原子％的Pt。
5.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中该垂直磁记录层包含12-20原子％的Cr。
6.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中该垂直磁记录层包含14-17原子％的Cr。
7.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中该垂直磁记录层是由CoCrPt合金形成的。
8.根据权利要求7的垂直磁记录介质，其中该垂直磁记录层包含8-20原子％的Pt。
9.根据权利要求7的垂直磁记录介质，其中该垂直磁记录层包含11-20原子％的Pt。
10.根据权利要求7的垂直磁记录介质，其中该垂直磁记录层包含11-18原子％的Pt。
11.根据权利要求7的垂直磁记录介质，其中垂直磁记录层包含12-20原子％的Cr。
12.根据权利要求7的垂直磁记录介质，其中垂直磁记录层包含14-17原子％的Cr。
13.根据权利要求7的垂直磁记录介质，其中该垂直磁记录层是由包含8-20原子％的Pt和12-20原子％的Cr的CoCrPt合金形成的。
14.根据权利要求7的垂直磁记录介质，其中该垂直磁记录层进一步包括含量低于4原子％的Ta、Nb或Ta+Nb。
15.根据权利要求7的垂直磁记录介质，其中该垂直磁记录层进一步包括含量低于2-4原子％的Ta、Nb或Ta+Nb。
16.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中该底层是用Ti合金制成的。
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