[发明专利]液晶显示设备阵列衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示设备阵列衬底，该液晶显示设备阵列衬底包括：衬底；

多条栅线，横向设置在衬底上；

多条数据线，与多条栅线垂直设置；

多个薄膜晶体管，与栅线和数据线的交叉点相邻，成型在衬底上，各薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、源极以及漏极；

多个像素电极，设置在由栅线与数据线的交叉点确定的像素区，每个像素电极均与一个相应的漏极相连；以及

金属层，成型在各数据线的整个表面上。

2.根据权利要求1所述的阵列衬底，其中在栅极上设置栅绝缘层。

3.根据权利要求1所述的阵列衬底，其中在栅绝缘层上设置有源层，在有源层上设置欧姆接触层。

4.根据权利要求1所述的阵列衬底，其中在欧姆接触层上设置源极和漏极。

5.根据权利要求4所述的阵列衬底，其中源极从一条数据线开始延伸。

6.根据权利要求4所述的阵列衬底，其中漏极从一条像素电极开始延伸。

7.根据权利要求4所述的阵列衬底，其中漏极和源极均至少包括一透明导体材料。

8.根据权利要求7所述的阵列衬底，其中各数据线至少包括所述的透明导体材料。

9.根据权利要求7所述的阵列衬底，其中各像素电极均包括所述的透明导体材料。

10.根据权利要求7所述的阵列衬底，其中所述透明导体材料选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、氧化锡以及氧化铟。

11.根据权利要求1所述的阵列衬底，其中在多条栅线上设置栅绝缘层。

12.根据权利要求1所述的阵列衬底，其中所述金属层选自铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)和银(Ag)。

13.根据权利要求12所述的阵列衬底，其中在源极的整个表面上成型金属层。

14.根据权利要求12所述的阵列衬底，其中在多个像素电极的外围部分成型金属层。

15.根据权利要求12所述的阵列衬底，其中在漏极的外围部分成型金属层。

16.一种液晶显示设备阵列衬底的制造方法，该方法包括下述步骤：

在衬底上形成第一金属层；

形成栅线和栅极；

形成栅绝缘层来覆盖第一金属层；

在栅绝缘层上形成纯非晶硅层和掺杂非晶硅层；

在栅极上形成欧姆接触层和有源层；

在栅绝缘层上形成透明导体材料来覆盖有源层和欧姆接触层；

在透明导体材料上形成光阻材料层；

利用掩模对光阻材料层制图；

形成数据线、像素电极、源极以及漏极；以及

在数据线的整个表面上形成第二金属层。

17. 根据权利要求16所述的方法，其中形成栅线和栅极的步骤包括对第一金属层进行制图。

18.根据权利要求16所述的方法，其中形成欧姆接触层和有源层的步骤包括对掺杂非晶硅层和纯非晶硅层进行制图。

19.根据权利要求16所述的方法，其中所述掩模包括多个隙缝和多个光屏蔽区。

20.根据权利要求16所述的方法，其中形成数据线、像素电极、源极以及漏极的步骤包括利用干蚀刻方法对透明导体材料进行制图。

21.根据权利要求20所述的方法，其中对透明导体材料进行制图的步骤包括：在蚀刻透明导体材料的暴露部分时，清除形成在数据线和源极上的第一光阻材料层；以及在蚀刻透明导体材料的暴露部分时，清除形成在漏极和像素电极上的第二光阻材料层的外围部分。

22.根据权利要求16所述的方法，该方法进一步包括在源极的整个表面上形成第二金属层的步骤。

23.根据权利要求16所述的方法，该方法进一步包括在像素电极和漏极的外围部分形成第二金属层的步骤。

24.根据权利要求16所述的方法，其中对光阻材料层进行制图的步骤包括对光阻材料层套准掩模、通过掩模的多个隙缝曝光以及显影光阻材料层以暴露透明导体材料。