[发明专利]图像显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 02101780.8 申请日: 2002-01-18
公开(公告)号: CN1383027A 公开(公告)日: 2002-12-04
发明(设计)人: 丰田善章;糸贺敏彦;秋元肇 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: G02F1/136 分类号: G02F1/136;G09G3/36
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 图像 显示装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种图像显示装置,是在基板上具有多个薄膜晶体管和多个电容元件的图像显示装置,其中:

在上述基板上具有多条栅线、和与该多条栅线呈矩阵状交叉的多条信号线;

上述薄膜晶体管具有:具有源区、漏区和夹在它们之间的沟道区的岛状半导体层;在该岛状半导体层和与上述栅线同层的栅极之间形成的第一绝缘膜;在上述岛状半导体层上方形成的层间绝缘膜;通过在该层间绝缘膜上设置的开口部与上述源区和漏区接触的、与信号线同层的源电极和漏电极;

上述电容元件由与上述栅线同层的保存电极、在该保存电极上相接地形成的第二绝缘膜、和在该第二绝缘膜上相接地形成的与上述信号线同层的电极构成。

2.如权利要求1所述的图像显示装置,其中:上述第二绝缘膜比上述第一绝缘膜的比介电率高、蚀刻速度低。

3.如权利要求1所述的图像显示装置,其中:上述第二绝缘膜是上述保存电极的氧化膜。

4.如权利要求1所述的图像显示装置,其中:上述第二绝缘膜在上述栅极的上部和侧部形成。

5.如权利要求1所述的图像显示装置,其中:上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜是相同的高介电率材料。

6.如权利要求1所述的图像显示装置,其中:上述第一绝缘膜是氧化硅膜和高介电率膜的层叠膜。

7.如权利要求1所述的图像显示装置,其中:上述电容元件是由上述岛状半导体层、上述第一绝缘膜和上述保存电极构成的第一电容元件以及由上述保存电极、在该保存电极上形成的其比介电率比上述第一绝缘膜高的第二绝缘膜、和在该第二绝缘膜上直接形成的与上述信号线同层的电极构成的第二电容元件并联连接的电容元件。

8.如权利要求1所述的图像显示装置,其中:在上述基板上具有用于临时存储图像显示信息的由电容和开关构成的帧存储器。

9.如权利要求8所述的图像显示装置,其中:在象素内具有上述帧存储器。

10.如权利要求1所述的图像显示装置,其中:上述岛状半导体层是岛状多晶硅层。

11.一种图像显示装置,是在基板上具有多个薄膜晶体管和多个电容元件的图像显示装置,其中:

在上述基板上具有多条栅线、和与该多条栅线呈矩阵状交差的多条信号线;

上述薄膜晶体管具有:具有源区、漏区和夹在它们之间的沟道区的岛状半导体层;在该岛状半导体层和与上述栅线同层的栅极之间形成的第一绝缘膜;在上述岛状半导体层上方形成的层间绝缘膜;通过在该层间绝缘膜上设置的开口部与上述源区和漏区接触的、与信号线同层的源电极和漏电极;

上述电容元件由与上述栅线同层的保存电极、在该保存电极和上述层间绝缘膜上相接地形成的第二绝缘膜、和在该第二绝缘膜上相接地形成的与上述信号线同层的电极构成。

12.如权利要求11所述的图像显示装置,其中:上述第二绝缘膜比上述第一绝缘膜的比介电率高、蚀刻速度低。

13.如权利要求11所述的图像显示装置,其中:上述第二绝缘膜是有机材料构成的绝缘膜。

14.一种图像显示装置的制造方法,包括下列工序:

在基板上形成多个岛状半导体层的工序;

在上述岛状半导体层上形成第一绝缘膜的工序;

在上述第一绝缘膜上形成栅极和保存电极的工序;

在上述岛状半导体层上形成源区、漏区和夹在它们之间的沟道区的工序;

在上述保存电极上形成第二绝缘膜的工序;

在上述栅极和上述保存电极上方形成层间绝缘膜的工序;

同时去除接触孔部分的上述层间绝缘膜和上述保存电极上方的层间绝缘膜的工序;以及

同时形成上述第二绝缘膜上的电极、以及与上述源区、漏区相连接的源电极和漏电极的工序。

15.如权利要求14所述的图像显示装置的制造方法,其中:在上述保存电极上形成第二绝缘膜的同时,在上述栅极的上部和侧部形成上述第二绝缘膜。

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