[发明专利]交联性低介电性高分子材料及使用它的薄膜、基板和电子部件无效
| 申请号： | 02102355.7 | 申请日： | 2002-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1367185A | 公开（公告）日： | 2002-09-04 |
| 发明（设计）人： | 浅见茂;山田俊昭;官原辉明;堀田宽史 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社;第一工业制药株式会社 |
| 主分类号： | C08F220/10 | 分类号： | C08F220/10;C08F222/10;C08J5/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 交联 性低介电性 高分子材料 使用 薄膜 电子 部件 | ||
【权利要求书】：
1.一种低介电性高分子材料，其通过将含富马酸二酯及带环氧基的(甲基)丙烯酸酯的单体组合物作为单体共聚制得。
2.权利要求1的低介电性高分子材料，其特征在于，前述富马酸二酯是下述式(I)表示的单体。……式(I)
(式中，R1代表烷基或环烷基，R2代表烷基、环烷基或芳基，R1与R2可以相同也可以不同)
3.权利要求1或2记载的低介电性高分子材料，其特征在于，前述带环氧基的(甲基)丙烯酸酯是下述式(II)表示的单体。……式(II)(式中，R3代表C1～C4的亚烷基，
R4代表H或CH3，
A代表C2～C4的氧亚烷基，
n代表0～2的整数，
X代表或
4.权利要求3记载的低介电性高分子材料，其特征在于，前述带环氧基的(甲基)丙烯酸酯是下述式(III)表示的单体。……式(III)
5.权利要求1～4的任一项记载的低介电性高分子材料形成的薄膜。
6.用权利要求1～4的任一项记载的低介电性高分子材料构成的基板。
7.用权利要求1～4的任一项记载的低介电性高分子材料构成的电子部件。
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