[发明专利]用于倍增频率的方法和设备

权利要求书

1.一种倍增频率的方法，包含如下步骤：

制备具有其固有共振频率的铁磁体薄膜，

导入输入频率等于所述铁磁体薄膜的共振频率的电磁波，从而在铁磁体薄膜内产生铁磁共振，使导入的所述电磁波的所述输入频率倍增。

2.如权利要求1所述的倍增方法，其特征在于导入的所述电磁波的所述输入频率通过所述铁磁体薄膜的铁磁共振增加两倍。

3.如权利要求1所述的倍增方法，其特征在于所述铁磁体薄膜由单晶Co薄膜制成。

4.如权利要求3所述的倍增方法，其特征在于所述铁磁体薄膜的厚度为0.5-5nm。

5.一种倍增频率的方法，包含如下步骤：

将具有其固有共振频率的铁磁体薄膜布置在空腔谐振器内，

从所述空腔谐振器上形成的孔口将输入频率等于所述铁磁体薄膜共振频率的电磁波导入所述空腔谐振器，从而在所述铁磁体薄膜内产生铁磁共振，使所述电磁波的输入频率倍增，

将具有所述倍增的频率的所述电磁波从所述空腔谐振器上形成的缝隙发出。

6.如权利要求5所述的倍增方法，其特征在于所述铁磁体薄膜由单晶Co薄膜制成。

7.如权利要求6所述的倍增方法，其特征在于所述铁磁体薄膜的厚度为0.5-5nm。

8.一种倍增频率的方法，包含如下步骤：

依次布置多个具有各自固有共振频率对应于所述共振频率的大小的铁磁体薄膜，

将一电磁波导入所述铁磁体薄膜之一，所述电磁波的输入频率等于所述铁磁体薄膜的所述之一的共振频率，从而通过所述铁磁体薄膜的所述之一的铁磁共振倍增所述的输入频率，

将具有所述倍增频率的所述电磁波依次导入与所述铁磁体薄膜的所述之一相邻的铁磁体薄膜，从而对所述电磁波的所述输入频率进行多次倍增。

9.如权利要求7所述的倍增方法，其特征在于所述电磁波的所述输入频率在每一个所述铁磁体薄膜处倍增两倍。

10.如权利要求8所述的倍增方法，其特征在于所述铁磁体薄膜由单晶Co薄膜制成。

11.如权利要求10所述的倍增方法，其特征在于所述铁磁体薄膜的厚度为0.5-5nm。

12.一种倍增频率的设备，包含：

空腔谐振器，

位于所述空腔谐振器内的铁磁体薄膜，

所述空腔谐振器包括导入具有给定输入频率的电磁波的孔口和在倍增所述输入频率之后将所述电磁波从所述空腔谐振器发出的缝隙。

13.如权利要求12所述的倍增设备，其特征在于所述铁磁体薄膜由单晶Co薄膜制成。

14.如权利要求13所述的倍增设备，其特征在于所述铁磁体薄膜的厚度为0.5-5nm。

15.如权利要求12所述的倍增设备，其特征在于所述电磁波的所述输入频率倍增两倍。