[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02103173.8 | 申请日： | 2002-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1369918A | 公开（公告）日： | 2002-09-18 |
| 发明（设计）人： | 大西照人;高木刚;浅井明;藤井泰三;杉浦三津夫;南善久 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L27/04;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，是具备变容元件的半导体装置，其特征在于：
所述变容元件具备：第1导电型的第1半导体层、
设在所述第1半导体层上，由外延生长形成的第2半导体层；
在所述第1半导体层和所述第2半导体层的界面部上形成具有可变电容功能的PN结部。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
还具备具有第3半导体层和设在所述第3半导体层上、由外延生长形成的第4半导体层的双极晶体管；
所述第4半导体层包含与所述第2半导体层同时外延生长的基极层。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述第1半导体层是Si层、
所述第2半导体层是Si1-X-YGeXCY(o＜x＜1、0≤y＜1)。
4.一种半导体装置，是根据权利要求1～3中任一权利要求所述的半导体装置，其特征在于：
还具备振荡电路，所述变容元件与所述振荡电路连接。
5.一种半导体装置的制造方法，是一种将变容元件和双极晶体管设置在共通的半导体衬底上的半导体装置的制造方法，其特征在于：
它包括以下工序：
(a)在所述半导体衬底的变容元件形成区上形成第1导电型第1半导体层的同时、在双极晶体管形成区域上形成第1导电型第2半导体层的工序；
(b)在所述工序(a)后、用外延生长法在所述半导体衬底的第1半导体层上形成第3半导体层的同时，在所述第2半导体层上形成第4半导体层的工序。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在所述工序(a)中、形成所述双极晶体管的集电极扩散层，
在所述工序(b)中、形成所述双极晶体管的基极层。
7.根据权利要求5或6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在所述工序(b)中形成包含Si1-X-YGeXCY(0＜x＜1、0≤y＜1)层的第3及第4半导体层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/02103173.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：呼叫接受控制装置及方法
- 下一篇：成像光学装置
- 同类专利
- 专利分类
