[发明专利]利用硒化反应的衬底键合无效
| 申请号： | 02103210.6 | 申请日： | 2002-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1379436A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | H·李;C·C·杨 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B81C5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 罗朋,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 反应 衬底 | ||
1.一种制造键合衬底的方法，此键合衬底包括至少一个有源衬底A和一个用硒化反应在其上键合有源衬底A的基底衬底B，此方法包含：
借助于在有源衬底A的键合表面12上淀积由第一材料11和第二材料13组成的交替层而形成第一多层叠层15，
第一材料11包括硒，而
第二材料13包括选自铟、镓、锑、铝的材料；
借助于在基底衬底B的安装表面14上淀积由第一材料11和第二材料13组成的交替层而形成第二多层叠层17；
使第一和第二多层叠层(15，17)彼此接触；以及
借助于在惰性气氛中对衬底(A，B)进行退火，以形成将衬底(A，B)彼此粘附键合的化合物键合层19，从而将有源衬底和基底衬底(A，B)彼此键合。
2.权利要求1所述的方法，其中的退火步骤包含在大约200-300℃的温度下对衬底(A，B)进行加热。
3.权利要求1所述的方法，其中由第一和第二多层叠层(15，17)组成的交替层，在大约0.0-50.0℃的温度下被淀积。
4.权利要求1所述的方法，其中的第一材料11还包括碲。
5.权利要求4所述的方法，其中的退火步骤包含在大约150-300℃的温度下对衬底(A，B)进行加热。
6.权利要求4所述的方法，其中由第一和第二多层叠层(15，17)组成的交替层，在大约0.0-50.0℃的温度下被淀积。
7.权利要求1所述的方法，其中的有源衬底A和基底衬底B是选自半导体、金属、介质的材料。
8.权利要求1所述的方法，其中的有源衬底A和基底衬底B是选自硅、氧化硅、氧化铝、砷化镓的材料。
9.权利要求1所述的方法，其中的有源衬底A和基底衬底B由不同的材料制成。
10.权利要求1所述的方法，其中的有源衬底A和基底衬底B由相同的材料制成。
11.权利要求1所述的方法，其中放置步骤包含使第一和第二多层叠层(15，17)彼此接触而基本上不对有源衬底和基底衬底(A，B)施加压力。
12.权利要求1所述的方法，其中的第一材料11、第二材料13、和化合物键合层19，是选自成为第一材料11和第二材料13的元素材料、成为化合物键合层19的多晶化合物键合层、以及选自成为第一材料11和第二材料13的非晶化合物、成为化合物键合层19的非晶化合物键合层。
13.权利要求1所述的方法，其中第一和第二多层叠层(15，17)的形成还包含：
在至少一个有源衬底的键合表面12上形成第一多层叠层15；
在另一个有源衬底的安装表面14上形成第二多层叠层17；
使第一和第二多层叠层(15，17)彼此接触；以及
借助于在惰性气氛中对有源衬底进行退火，以形成将有源衬底彼此粘附键合的化合物键合层19，从而形成有源衬底组成的三维叠层。
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