[发明专利]氧化硅薄膜的沉积无效
| 申请号： | 02103297.1 | 申请日： | 2002-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1383194A | 公开（公告）日： | 2002-12-04 |
| 发明（设计）人： | K·马凯;S·尼曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 沉积 | ||
1.一种在衬底上形成氧化硅层的方法，包括：
把衬底放在沉积室中；
向沉积室中提供第一种气体混合物和第二种气体混合物，其中，第一种气体混合物包含正硅酸四乙酯、氦和氮气，其中，第二种气体混合物包含臭氧；和
使第一种气体混合物与第二种气体混合物在沉积室中反应，在衬底上形成氧化硅层。
2.根据权利要求1的方法，其中，在第一种气体混合物中的氦和氮气以约1∶1-1∶3的氦∶氮气流量比向沉积室内提供。
3.根据权利要求1的方法，其中，第二种气体混合物中还包含氧气。
4.根据权利要求1的方法，其中，所述沉积室保持在约150-850℃的温度。
5.根据权利要求1的方法，其中，所述沉积室保持在约1乇-600乇的压力。
6.根据权利要求3的方法，其中，在第二种气体混合物中的臭氧浓度约为12.5重量％。
7.一种器件的制备方法，包括：
在衬底上形成氧化硅层，其中，氧化硅层通过使包含正硅酸四乙酯、氦和氮气的第一种气体混合物与包含臭氧的第二种气体混合物在沉积室中反应形成。
8.根据权利要求7的方法，其中，在第一种气体混合物中的氦和氮气以约1∶1-1∶3的氦∶氮气流量比向沉积室内提供。
9.根据权利要求7的方法，其中，第二种气体混合物还包含氧气。
10.根据权利要求7的方法，其中，所述沉积室保持在约150-850℃的温度。
11.根据权利要求7的方法，其中，所述沉积室保持在约1乇-600乇的压力。
12.根据权利要求9的方法，其中，在第二种气体混合物中的臭氧浓度约为12.5重量％。
13.一种在衬底上形成氧化硅层的方法，包括：
把衬底放在沉积室中；
向沉积室中提供第一种气体混合物和第二种气体混合物，其中，第一种气体混合物包含正硅酸四乙酯、氦和氮气，第二种气体混合物包含臭氧，在第一种气体混合物中的氦和氮气以约1∶1-1∶3的氦∶氮气流量比向沉积室内提供；和
使第一种气体混合物与第二种气体混合物在沉积室中反应，在衬底上形成氧化硅层。
14.一种在衬底上形成氧化硅层的方法，包括：
把衬底放在沉积室中；
向沉积室中提供第一种气体混合物和第二种气体混合物，其中，第一种气体混合物包含正硅酸四乙酯、氦和氮气；第二种气体混合物包含臭氧；并且在第一种气体混合物中的氦和氮气以约1∶1-1∶3的氦∶氮气流量比向沉积室内提供；
其中，正硅酸四乙酯以约500mgm(毫克/分钟)-约1500mgm的流量向沉积室中提供，氦气以约1000sccm-3000sccm的流量向沉积室中提供，氮气以约1000sccm-3000sccm的流量向沉积室内提供；和
使第一种气体混合物与第二种气体混合物在沉积室中反应，在衬底上形成氧化硅层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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