[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及把正在制造中的晶片收纳于具有环境控制单元的晶片搬运容器内之后，在半导体装置的一连串制造工序中使用的各种制造装置之间进行移动的半导体装置的制造方法。

背景技术

目前，具有微细图形的半导体装置的制造，都在已除去了灰尘等的超净间内进行。但是，超净间内的环境，由于从半导体制造工艺来看杂质极其之多，故对于送入到超净间内的外气要用化学过滤器等除去杂质。此外，在超净间内产生的杂质，则用在室内空调机或空气循环系统的一部分上设置化学过滤器的办法加以除去。

超净间内正在制造途中的半成品晶片，为了防止超净间内的灰尘和杂质的附着，要收纳于晶片搬运器内之后再在超净间内搬运/保管。但是，取决于半导体制造工序的种类，有时候工艺的残存物会变成为杂质对晶片搬运器内的晶片造成逆污染。

作为解决这些问题的手段，在特开平7-94577号公报中，公开了借助于含有活性碳吸收层的蒸汽除去器件除去晶片搬运器内的化学蒸汽(杂质)的发明。此外，株式会社荏原制作所的‘晶片搬运超净箱(商品名)’是一种实际上使用来除去杂质的化学过滤器和具有用来使容器内的空气进行循环的风扇电动机的晶片搬运器产品化的商品。

然而，在一连串的半导体制造工序中，存在着非常多的使工艺残存物附着到晶片上的制造工序。因此，在把该工序结束后的晶片收纳于晶片搬运容器内的情况下，就存在着在短时间内使具有晶片搬运容器的化学过滤器被破坏的危险。

此外，现有的晶片搬运容器，在整个半导体制造的全部工序中只能把晶片搬运容器内的环境控制为一种搬运条件。因此，要使晶片搬运容器内的环境分别应对以低湿度搬运/保管晶片时提高品质的制造工序、在已除去了杂质的空间内搬运/保管时提高品质或成品率的制造工序、或希望除去了水分和杂质的空间的制造工序是困难的。

此外，一般的说，用来除去离子性杂质的化学过滤器，具有当环境湿度变成为20％以下时，则性能会急剧劣化的特性。因此，在低湿度的环境中不能除去离子性杂质。

如上所述，由源于各种半导体制造工序的要求和化学过滤器的特性可知，要使对于半导体制造工序的晶片的搬运/保管最佳化，就必须要准备功能不同的多种晶片搬运容器，且对每一个工序都要更换。然而，归因于此，就会产生晶片搬运容器的购买价格增加，增大必须使空的晶片搬运容器相应于特性而分配给以后的工序进行搬运等的搬运负担等的缺点。此外，还会产生需要多种晶片搬运容器的新的保管场所，需要用来交换晶片搬运容器的时间，制造工期加长等的缺点。

此外，在晶片搬运容器中，还需要用来使送风风扇或除水过滤器动作的充电电池。但是，充电电池由于只具有半导体制造工期的1/100那种程度的容量，故将产生需要对充电的劳力和时间、工期的减慢以及充电场所进行新的确认等的缺点。

再者，超净间内的相对湿度，考虑到人的作业性、化学过滤器的性能维持，要保持在30～60％。该超净间内的湿度，将促进晶片上边的自然氧化膜的形成，促进在晶片上边形成的金属布线的腐蚀。

发明内容

本发明是一种把晶片收纳于晶片搬运容器内在半导体装置的一连串制造工序中使用的各种制造装置之间进行晶片移动的半导体装置的制造方法，其特征在于：在各个制造工序中，把晶片搬运容器载置到使晶片搬运容器的盖子自动开闭的装载口的上边，通过装载口把收纳在晶片搬运容器的内部的晶片搬运到制造装置内，使控制晶片搬运容器的内部的环境的环境控制单元的运行条件变更为与制造装置的处理内容或检查内容相对应的条件，使结束了规定的处理或检查的晶片，通过装载口再次收纳于晶片搬运容器的内部，一直到把晶片搬运到在其次的工序中使用的制造装置内为止的期间，根据变更后的运行条件，控制晶片搬运容器的内部的环境。

附图说明

图1的斜视图示出了晶片搬运容器的构成的一个例子。

图2A和图2B示出了晶片搬运容器和构成一连串制造工序的各个制造装置的配置关系。图2A示出了对于制造装置(干法刻蚀装置)外加SMIF装载口的情况。图2B示出了把SMIF装载口组装到制造装置(光刻胶剥离装置)的一部分上的情况。

图3的框图示出了与图5所示的流程图对应的制造装置和生产系统之间的连接关系。

图4的流程图示出了本发明的实施例的半导体装置的制造方法的主要构成。

图5的流程图示出了一连串的半导体制造工序中的晶片搬运容器的具体运行条件的一个例子(其1)。

图6的流程图示出了一连串的半导体制造工序中的晶片搬运容器的具体运行条件的一个例子(其2)。