[发明专利]半导体装置和半导体装置制造用掩模无效
| 申请号： | 02104991.2 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1384696A | 公开（公告）日： | 2002-12-11 |
| 发明（设计）人： | 山田努;西川龙司 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/20 | 分类号： | H05B33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 栾本生,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 用掩模 | ||
【权利要求书】：
1.一种在第1电极和第2电极之间把具有发光层的多个象素配置成矩阵状构成的半导体装置，其特征在于：
在上述每一个象素上都设置上述第1电极或第2电极中的至少一者，
上述发光层在多个上述象素之内在相邻的象素间公用化。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：上述相邻的象素为同色。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：上述同色的象素直线状地相邻配置，
上述发光层在上述直线状地相邻配置的象素间公用化。
4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：
上述同色的象素锯齿状地相邻配置，
上述发光层在上述锯齿状地相邻配置的象素间公用化。
5.根据权利要求2到4中的任何一项权利要求所述的装置，其特征在于：上述同色的象素，为R象素、G象素、B象素中的至少一种。
6.根据权利要求1到6中的任何一项权利要求所述的装置，其特征在于：上述发光层，含有有机电致发光(有机EL)材料。
7.一种用来制造上述半导体装置的上述发光层形成用掩模，其特征在于：
具有在上述多个象素之内在相邻的象素间公用的开口部分，
借助于上述开口部分，使上述发光层的材料通过，形成上述发光层。
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