[发明专利]用于存储设备的读出放大器无效

专利信息
申请号: 02105066.X 申请日: 2002-02-19
公开(公告)号: CN1400604A 公开(公告)日: 2003-03-05
发明(设计)人: 李灿勇;李元奭;李桢培 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/00 分类号: G11C7/00;G11C7/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 王志森,黄小临
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 存储 设备 读出 放大器
【权利要求书】:

1.一种电路,包括:

一个读充电控制电路,它由一个读信号和一个地址激励;和

一个写充电控制电路,它由一个写信号和相同的或不同的地址激励,读

充电控制电路和写充电控制电路这两者都耦合到共用的数据I/O线。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,读充电控制电路是一个读出放大器。

3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,写充电控制电路在数据I/O和位线之间传送电荷。

4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,写充电控制电路只包括两个写控制门,第一个写控制门控制一个位线的电荷,第二个写控制门控制一个互补位线的电荷。

5.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,第一和第二写控制门这两者都由一个写列选择线信号控制。

6.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,第一写控制门直接耦合在位线和数据I/O线之间,第二写控制门直接耦合在互补位线和互补数据I/O线之间。

7.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,读充电控制电路包括:控制从一个位线向一个互补数据I/O线的充电的第一读控制门,以及控制从一个互补位线向一个数据I/O线的充电的第二读控制门。

8.根据权利要求7所述的电路,其特征在于,第一和第二读控制门这两者都由一个读列选择线信号控制。

9.根据权利要求7所述的电路,其特征在于,第一读控制门直接耦合在位线和互补数据I/O线之间,第二读控制门直接耦合在互补位线和数据I/O线之间。

10.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,包括一个数据输出读出放大器,它耦合在一个数据输出缓冲器和数据I/O线之间。

11.根据权利要求10所述的电路,其特征在于,包括负载晶体管,它们在读充电控制电路和数据输出读出放大器之间共享。

12.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,读充电控制电路包括:

第一晶体管,具有耦合到一个位线的第一端、耦合到一个互补数据I/O线的第二端、以及第三端;

第二晶体管,具有耦合到一个互补位线的第一端、耦合到一个数据I/O线的第二端、以及第三端;和

第三晶体管,具有耦合到列选择线的第一端、耦合到第一和第二晶体管的第三端的第二端、以及耦合到第一参考电压的第三端。

13.根据权利要求12所述的电路,其特征在于,写充电控制电路包括:

第一晶体管,具有耦合到一个列选择线的第一端、耦合到一个互补位线的第二端、以及耦合到互补数据I/O线的第三端;

第二晶体管,具有耦合到写列选择线的第一端、耦合到一个数据I/O线的第二端、以及耦合到位线的第三端。

14.根据权利要求13所述的电路,其特征在于,包括:

第一负载晶体管,具有耦合到第二参考电压的第一端、耦合到数据I/O线的第二端、以及耦合到第三参考电压的第三端;

第二负载晶体管,具有耦合到第二参考电压的第一端、耦合到互补数据I/O线的第二端、以及耦合到第三参考电压的第三端。

15.一种电路,包括:

一个读充电控制电路,它由一个读列选择线激励;和

一个写充电控制电路,它由一个写列选择线激励,读充电控制电路和写充电控制电路这两者都耦合到共用的数据I/O线;

一个数据输出读出放大器;和

由读充电放大器电路和数据输出读出放大器这两者共享的负载晶体管。

16.一种用于控制存储器控制电路的方法,包括:

按照一个读控制信号和一个地址控制读充电控制电路;

按照一个写控制信号和相同的或不同的一个地址控制写充电控制电路;

利用读充电控制电路和写充电控制电路,控制向相同的数据I/O线的充电和自相同的数据I/O线的充电。

17.根据权利要求16所述的方法,其特征在于,在写充电控制电路中只使用两个选通门来控制在位线和数据I/O线之间的充电。

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