[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤：

借助于将激光辐照到非晶半导体膜而形成结晶半导体膜；以及

对结晶半导体膜进行热处理，以降低形成在结晶半导体膜中的畸变，其中的畸变由激光辐照引起。

2.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其中辐照表面上或辐照表面附近的激光具有线状或矩形形状。

3.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其中的激光从选自气体激光器、固体激光器、和金属激光器的一种或多种激光器发射，各个激光器是连续发光型或脉冲发光型的。

4.根据权利要求3的制造半导体器件的方法，其中的固体激光器是选自YAG激光器、YVO₄激光器、YLF激光器、YAlO₃激光器、玻璃激光器、红宝石激光器、紫翠玉激光器、以及掺Ti的蓝宝石激光器的激光器。

5.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其中热处理的加热时间为1-30分钟。

6.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其中热处理的加热温度等于或高于500℃。

7.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤：

在绝缘表面上形成非晶半导体膜；

借助于将激光辐照到非晶半导体膜而形成结晶半导体膜；

借助于腐蚀结晶半导体膜而形成小岛形状的结晶半导体膜；以及

对小岛形状的结晶半导体膜进行热处理，以降低形成在小岛形状的结晶半导体膜中的畸变，其中的畸变由激光辐照引起。

8.根据权利要求7的制造半导体器件的方法，其中形成小岛形状的结晶半导体膜的步骤，在执行热处理步骤之后被执行。

9.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤：

借助于将激光辐照到非晶半导体膜而形成结晶半导体膜；以及

将灯光辐照到结晶半导体膜，以降低形成在结晶半导体膜中的畸变，其中的畸变由激光辐照引起。

10.根据权利要求9的制造半导体器件的方法，其中的激光从选自气体激光器、固体激光器、和金属激光器的一种或多种激光器发射，各个激光器是连续发光型或脉冲发光型的。

11.根据权利要求10的制造半导体器件的方法，其中的固体激光器是选自YAG激光器、YVO₄激光器、YLF激光器、YAlO₃激光器、玻璃激光器、红宝石激光器、紫翠玉激光器、以及掺Ti的蓝宝石激光器的激光器。

12.根据权利要求9的制造半导体器件的方法，其中灯光辐照的时间为1-30分钟。

13.根据权利要求9的制造半导体器件的方法，其中灯光辐照的温度等于或高于500℃。

14.根据权利要求9的制造半导体器件的方法，其中灯光辐照的温度上升速率和温度下降速率为每分钟30-300℃。

15.根据权利要求9的制造半导体器件的方法，其中的灯光从衬底上侧、从衬底下侧、或同时从衬底上侧和下侧辐照。

16.根据权利要求9的制造半导体器件的方法，其中的灯光从选自卤素灯、金属卤化物灯、氙弧灯、碳弧灯、高压钠灯、以及高压汞灯的灯发光。

17.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤：

在绝缘表面上形成非晶半导体膜；

借助于将激光辐照到非晶半导体膜而形成结晶半导体膜；

借助于腐蚀结晶半导体膜而形成小岛形状的结晶半导体膜；以及

将灯光辐照到小岛形状的结晶半导体膜，以便降低形成在小岛形状的结晶半导体膜中的畸变，其中的畸变由激光辐照引起。

18.根据权利要求17的制造半导体器件的方法，其中形成小岛形状的结晶半导体膜的步骤，在执行灯光辐照步骤之后被执行。

19.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤：

借助于将灯光辐照到非晶半导体膜而形成第一结晶半导体膜；

借助于将激光辐照到第一结晶半导体膜而形成第二结晶半导体膜；以及

对第二结晶半导体膜进行热处理，以降低形成在第二结晶半导体膜中的畸变，其中的畸变由激光辐照引起。