[发明专利]电容器用的电介质层板及其制造方法无效

专利信息
申请号: 02105539.4 申请日: 2002-04-16
公开(公告)号: CN1384512A 公开(公告)日: 2002-12-11
发明(设计)人: P·D·克努森;C·S·艾伦 申请(专利权)人: 希普列公司
主分类号: H01G4/018 分类号: H01G4/018;H01G4/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 戈泊,王刚
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电容 器用 电介质 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电介质层板,包括一粘结至第一聚合物层与第二聚合物层的芯层,该芯层具有高于该第一聚合物层与第二聚合物层的电容率,该第一与第二聚合物层的设置以使该电介质层板具有自身支撑性。

2.如权利要求1所述的电介质层板,其特征在于:该芯层包括碳材料、陶瓷材料、或其混合物。

3.如权利要求2所述的电介质层板,其特征在于:该碳材料包括钻石,且该陶瓷材料包括碳化硅、二氧化硅、二氧化硅为主的组成物、钛酸钡锶、氧化钡钛、氧化锶钛、氧化钨、混合的氧化钨锶、氧化钡钨、混合的氧化钨锶钡、CeO2、Ta2O5、TiO2、MnO2、Y2O3、PbZrTiO3、LiNbO3、PbMgTiO3、PbMgNbO3、或其混合物。

4.如权利要求1所述的电介质层板,其特征在于:该第一与第二聚合物层包括热塑性聚合物、热固性聚合物、添加的聚合物、浓缩聚合物或其混合物。

5.如权利要求1所述的电介质层板,其特征在于:该第一或第二聚合物层包括一无机聚合物。

6.如权利要求5所述的电介质层板,其特征在于:该无机聚合物是衍生自金属复合化合物、具有通式M(OR)n的化合物、或具有通式M[M1(OR)n]m的化合物,M为金属、硼、磷或硅,M1为与M不同的金属,R为线型或分支烷基,n为1或更大的整数,以及m为1或更大的整数。

7.如权利要求1所述的电介质层板,其特征在于:该聚合物层包括具有至少90℃Tg的聚合物。

8.如权利要求1所述的电介质层板,其特征在于:该电介质层板具有厚度自5μm至1000μm。

9.如权利要求1所述的电介质层板,其特征在于:该芯层具有厚度自0.0μm至900μm。

10.如权利要求1所述的电介质层板,其特征在于:该聚合物厚度自2.0μm至500μm。

11.如权利要求1所述的电介质层板,其特征在于:该电介质层板包括一自身支撑性散装薄片。

12.如权利要求1所述的电介质层板,其特征在于:还包括一相邻于第一聚合物层的第一金属层,及一相邻于第二聚合物层的第二金属层以形成一电容器。

13.如权利要求12所述的电介质层板,其特征在于:该第一或第二聚合物层包括铜、镍、锡、铝、金、银、铂、钯、钨、铁、铌、钼、钛、镍/铬合金、或铁/镍/铬合金。

14.如权利要求12所述的电介质层板,其特征在于:该电容器的电容密度小于1000μF/cm2

15.如权利要求12所述的电介质层板,其特征在于:该芯层具有大于20的电容率。

16.如权利要求12所述的电介质层板,其特征在于:该电容器嵌设于一印刷线路板中。

17.一种用以形成自身支撑性电介质的方法,包括下列步骤:在第一聚合物层上沉积一电介质芯层;以及在该电介质芯层的相对于第一聚合物层的表面上沉积一第二聚合物层以形成该自身支撑性电介质,该芯层具有高于该第一与第二聚合物层的电容率。

18.如权利要求17所述的方法,其特征在于:该电介质芯层是以燃烧化学气相淀积或控制大气化学气相淀积方法而沉积于一聚合物层上。

19.如权利要求18所述的方法,其特征在于:该电介质芯层是以具有火焰温度亦约100℃至约1500℃的燃烧化学气相淀积方法而沉积于一聚合物层上。

20.如权利要求18所述的方法,其特征在于:该电介质芯层是以燃烧化学气相淀积方法而沉积成等离子体于一聚合物层上,该等离子体具有温度自800℃至2000℃。

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