[发明专利]光波导路径器件、以及使用该器件的光源及光学装置无效

专利信息
申请号: 02105567.X 申请日: 2002-04-17
公开(公告)号: CN1381762A 公开(公告)日: 2002-11-27
发明(设计)人: 森川显洋;笠澄研一;北冈康夫;水内公典;山本和久 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G02F1/377 分类号: G02F1/377;G11B7/135
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 陈景峻,张志醒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 波导 路径 器件 以及 使用 光源 光学 装置
【权利要求书】:

1.一种光波导路径器件,其特征在于包括:

基板;

光波导路径,形成在所述基板的表面附近,传播波长不同的多个波导光;以及

光学薄膜,形成在所述光波导路径的至少一部分上,或相连地设置在所述光波导路径的至少一部分上;

所述波导光的一部分从所述光波导路径射出后,再次返回到所述光波导路径,

通过所述光学薄膜来防止返回到所述光波导路径的光的所述光波导路径的端面或其附近的反射。

2.如权利要求1所述的光波导路径器件,其中,在所述光波导路径中传播基波和高次谐波,

在所述光波导路径的入射端面附近包含所述光学薄膜,并且包括吸收所述高次谐波的高次谐波吸收区域,

所述光波导路径内的在所述高次谐波吸收区域和不吸收所述高次谐波的高次谐波非吸收区域传播的所述基波的波导模量大致一致。

3.如权利要求2所述的光波导路径器件,其中,所述高次谐波吸收区域和所述高次谐波非吸收区域的有效折射率大致一致。

4.如权利要求2所述的光波导路径器件,其中,所述基波在所述高次谐波吸收区域和所述高次谐波非吸收区域上一起用0次横模来传播。

5.如权利要求4所述的光波导路径器件,其中,在所述高次谐波吸收区域的所述光波导路径上,装载作为所述光学薄膜的高次谐波吸收膜。

6.如权利要求4所述的光波导路径器件,其中,所述高次谐波非吸收区域的所述光波导路径包括光波导层,以及装载在光波导层上的折射率比所述光波导层大的高折射率层;

所述高次谐波吸收区域的所述光波导路径包括第2光波导层,以及装载在所述第2光波导层上的折射率比所述第2光波导层大的由作为所述光学薄膜的高次谐波吸收膜组成的高次谐波吸收层。

7.如权利要求4所述的光波导路径器件,其中,所述高次谐波吸收区域的所述光波导路径包括其上表面被除去而使得厚度比所述光波导层小的第2光波导层,以及装载在所述第2光波导层上的折射率比所述第2光波导层大的由作为所述光学薄膜的高次谐波吸收膜组成的高次谐波吸收层。

8.如权利要求4所述的光波导路径器件,其中,所述高次谐波非吸收区域的所述光波导路径包括光波导层,

所述高次谐波吸收区域的所述光波导路径包括有效厚度比所述光波导层小的第2光波导层,以及装载在所述第2光波导层上的折射率比所述第2光波导层大的由作为所述光学薄膜的高次谐波吸收膜组成的高次谐波吸收层。

9.如权利要求4所述的光波导路径器件,其中,所述光学薄膜通过将金属混合扩散在所述高次谐波吸收区域的所述光波导路径中而形成。

10.如权利要求2所述的光波导路径器件,其中,所述基波按0次横模传播于所述高次谐波非吸收区域,按1次以上的高次横模传播于所述高次谐波吸收区域。

11.如权利要求10所述的光波导路径器件,其中,所述高次谐波吸收区域的所述光波导路径包括光波导层,以及装载在所述光波导层上的折射率比所述光波导层大的由作为所述光学薄膜的高次谐波吸收膜组成的高次谐波吸收层。

12.如权利要求10所述的光波导路径器件,其中,所述高次谐波吸收区域的所述光波导路径包括:光波导层;装载在所述光波导层上的折射率比所述光波导层大的高折射率层;以及装载在所述高折射率层上的折射率比所述高折射率层大的由作为所述光学薄膜的高次谐波吸收膜组成的高次谐波吸收层;

所述高次谐波非吸收区域的所述光波导路径包括第2光波导层,以及折射率比所述第2光波导层大的第2高折射率层。

13.如权利要求10所述的光波导路径器件,其中,所述高次谐波吸收区域的所述光波导路径包括:光波导层;装载在所述光波导层上的折射率比所述光波导层大的由作为所述光学薄膜的高次谐波吸收膜组成的高次谐波吸收层;以及装载在所述高次谐波吸收层上的折射率比所述光波导层大的高折射率层;

所述高次谐波非吸收区域的所述光波导路径包括第2光波导层,以及折射率比所述第2光波导层大的第2高折射率层。

14.如权利要求10所述的光波导路径器件,其中,所述光学薄膜通过将金属混入扩散在所述高次谐波吸收区域的所述光波导路径中而形成。

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