[发明专利]半导体激光模块和具有光反馈功能的半导体激光装置

权利要求书

1、一半导体泵浦激光部件包括：

一具有形成在砷化镓衬底的表面上的层结构的半导体泵浦激光装置，一包括所述层结构的至少一部分且其传播轴方向平行于所述砷化镓衬底表面的谐振腔，所述层结构具有一活性层，此活性层的量子井结构的至少一部分在所述谐振腔内，所述活性层由一种或多种至少包含镓和砷的半导体材料构成，所述量子井结构至少包括一个井层和一个势垒层，所述谐振腔和层结构使沿着谐振腔的传播轴传播的光的纵向模式具有空间间隔(Δλ_FP)；和

与所述半导体泵浦激光装置产生的光相光学耦合的光反馈元件，所述光反馈元件具有大于或等于纵向模式的空间间隔的两倍的反射率带宽；和

其中所述半导体泵浦激光部件可产生具有多纵向模式的光；

其中所述量子井结构的至少一个井层的厚度为10nm或更厚。

2、据权利要求1的半导体泵浦激光部件，其中所述至少一个井层的厚度小于或等于20nm。

3、根据权利要求1的半导体泵浦激光部件，其中所述至少一个井层的厚度在12nm到15nm的范围内。

4、根据权利要求1的半导体泵浦激光部件，其中所述至少一个井层具有关于砷化镓衬底的压力应变，所述压力应变在0.5％至1.5％的范围内。

5、根据权利要求1的半导体泵浦激光部件，其中所述至少一个井层具有关于砷化镓衬底的压力应变，所述压力应变在1.0％至1.5％的范围内。

6、根据权利要求1的半导体泵浦激光部件，其中至少所述活性层被掺入杂质。

7、根据权利要求6的半导体泵浦激光部件，其中所述杂质是n型杂质。

8、根据权利要求7的半导体泵浦激光部件，其中所述n型杂质是硅。

9、根据权利要求8的半导体泵浦激光部件，其中所述硅杂质是以1×10¹⁶至5×10¹⁸/cm³的浓度被掺入。

10、根据权利要求8的半导体泵浦激光部件，其中所述硅杂质是以5×10¹⁶至1×10¹⁸/cm³的浓度被掺入。

11、根据权利要求8的半导体泵浦激光部件，其中所述硅杂质是以2×10¹⁷至8×10¹⁷/cm³的浓度被掺入。

12、根据权利要求1的半导体泵浦激光部件，其中所述泵浦激光二极管的层结构包括一n型覆盖层，其中此n型覆盖层至少被掺入硅。

13、根据权利要求6的半导体泵浦激光部件，其中所述泵浦激光二极管的层结构包括一n型覆盖层，其中此n型覆盖层至少被掺入硅。

14、根据权利要求1的半导体泵浦激光部件，其中所述层结构一步包括一相邻半导体层，此半导体层与活性层的一个表面相邻，所述相邻半导体层被掺入杂质。

15、根据权利要求1的半导体泵浦激光部件，其中所述量子井结构包括一个井层。

16、根据权利要求1的半导体泵浦激光部件，其中所述活性层的每种半导体材料至少包括以下混合物中的一种，GaAs，In_xGa_1-xAs，GaAs_ySB_1-y，和In_xGa_1-xAs_ySB1_-y，In_xGa_1-xAs_zP_1-z，In_xGa_1-xAs_ySb_zP_1-y-z，和GaAs_ySb_zP_1-y-z，其中x，y和z是在0和0.99之间的化学计量参数。