[发明专利]荧光体的制造方法无效
申请号: | 02105719.2 | 申请日: | 1997-03-14 |
公开(公告)号: | CN1398947A | 公开(公告)日: | 2003-02-26 |
发明(设计)人: | 松田直寿;玉谷正昭;奥村美和;阿尔贝萨德惠子;川崎一博;横田诚二;元木信二郎;井上好明 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;高周波热练株式会社 |
主分类号: | C09K11/00 | 分类号: | C09K11/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 制造 方法 | ||
1.一种荧光体的制造方法,其特征在于,该方法具有将含有荧光体母体及赋活剂的荧光体粉在热等离子体中在荧光体成分的一部分气化的温度下加热后冷却得到球状荧光体粉的工序及,将得到的球状荧光体粉在1200~1700℃下进行热处理的工序。
2.权利要求1记载的荧光体的制造方法,其特征在于,在1300~1600℃下进行热处理。
3.权利要求1记载的荧光体的制造方法,其特征在于,在进行热等离子体处理之前将含有荧光体母体及赋活剂的荧光体粉用酸洗涤后干燥。
4.一种荧光体的制造方法,其特征在于,该方法具有将含有荧光体母体和赋活剂的荧光体粉在热等离子体中在荧光体成分的一部分气化的温度下加热后冷却得到球状荧光体粉的工序及,在得到的球状荧光体粉中混合构成荧光体母体的元素的氧化物的微粒子,然后在1200~1700℃下进行热处理的工序。
5.权利要求4记载的荧光体的制造方法,其特征在于,在1300~1600℃下进行热处理。
6.权利要求4记载的荧光体的制造方法,其特征在于,上述热处理时间为10分钟~30小时。
7.权利要求4记载的荧光体的制造方法,其特征在于,所希望的荧光体是由如下通式表示的,
Ln3M5O12∶R或Ln2SiO5∶R其中Ln是从Y、Gd、La及Lu组成的组中选择的至少1种元素,M是从Al及Ga组成的组中选择的至少1种元素,R是从镧族及Cr、Ti及Fe组成的组中选择的至少1种元素。
8.权利要求4记载的荧光体的制造方法,其特征在于,构成荧光体母体的元素的氧化物的微粒子的粒径为1μm以下。
9.权利要求4记载的荧光体的制造方法,其特征在于,在进行热等离子体处理之前将含有荧光体母体及赋活剂的荧光体粉用酸洗涤后干燥。
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