[发明专利]等离子体显示器及其制造方法无效
申请号: | 02105843.1 | 申请日: | 2002-01-16 |
公开(公告)号: | CN1372294A | 公开(公告)日: | 2002-10-02 |
发明(设计)人: | 寺尾芳孝;小松隆史;吴济焕;小川英人;山田幸香 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01J17/49 | 分类号: | H01J17/49;G09F9/313 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波,侯宇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 显示器 及其 制造 方法 | ||
发明领域
本发明涉及显示装置,尤其涉及等离子体显示器及其制造方法。
相关技术描述
参考图40,传统等离子体装置包括彼此相对设置的两个玻璃基片1和2(下文称为前基片1和后基片2)。在前基片1的内表面上形成多个电极4,形成覆盖电极4的包括例如MgO化合物制成的保护层的介电层3。此外,在后基片2的内表面上形成多个电极6。电极6与形成在前基片1上的电极4垂直设置。为了形成作为完成气体放电的空间的放电单元7,在后基片2上形成多个阻挡肋8。即,在每个电极6的两边平行形成阻挡肋8。覆盖电极6、在每个放电单元7中的阻挡肋8表面上形成具有高反射性的介电层5。而且,在每个放电单元7中的介电层5上形成R(红)、G(绿)、B(蓝)荧光层(phosphorlayer)9。
在放电单元7中提供例如Ne或He这样的放电气体的状态下密封按以上构造的基片1和2。电压选择性地提供给与从密封的基片1和2伸出的电极4和6连接的端子,从而在放电单元7中的电极4和6之间产生放电。放电的结果是,在外部显示从荧光层9发射的激发光。
以下给出了如何制造这种等离子体显示器中的后基片2的例子。
首先,通过印刷等构图和形成多个电极6,然后将它们烧结固定在原始玻璃基片上。接着,在形成电极6的原始基片上沉积烧结具有高反射性的介电层5。然后在原始玻璃基片上沉积阻挡肋材料,覆盖电极6和介电层5。接着,在用光致抗蚀剂例如干膜抗蚀剂(DFR)构图之后,例如通过喷砂工艺去除形成光致抗蚀剂处以外的阻挡肋材料。
即,通过喷嘴喷射颗粒直径约20-30μm的玻璃珠或磨料例如碳酸钙,除去未被构图的光致抗蚀剂覆盖的阻挡肋材料的部分。因此,光致抗蚀剂图案下的格子壁材料被剩下,形成阻挡肋8。尽管介电层5的部分在喷砂处理期间被暴露出来,但由于介电层5通过烧结被硬化使得它作得比阻挡肋材料硬,因此通过喷砂处理进行的清除在介电层5的表面停止。接着,进行烧结,完成阻挡肋8的制造,从而形成放电单元7。
在以上处理之后,用丝网印刷工艺在被阻挡肋8分隔的每个放电单元7中形成荧光象素。丝网印刷工艺是这样一种工艺,其利用通过设置丝网完成的印刷技术,与荧光材料混合的膏提供于放电单元7中,然后干燥。
阻挡肋是这样一种材料,它使用作粘合剂的有机材料的量尽可能最少,以便在干燥后保持阻挡肋8的形状,使得容易通过喷砂处理进行清除。由于按如上所述烧结介电层5,因此难以通过喷砂处理清除介电层5。但是,在烧结期间通过对玻璃加热(在这种情况下使原始的玻璃基片加热),玻璃经历了变形(例如收缩)。因此,最好降低烧结温度或者减少烧结操作数来避免这种变形。
由Hiroyuki等申请的名为“等离子体显示板的制造”的日本公开专利No.8-212918公开了一种方法,其中,直接腐蚀另一个玻璃基片以形成阻挡肋。用这种方法,不需象上述方法那样执行烧结处理来形成阻挡肋。从而避免了玻璃变形问题。
用这种方法,在形成每个格子壁之后,用传统的丝网印刷工艺形成设置在阻挡肋之间的电极和介电层。但是,由于阻挡肋的高度为150μm(微米)或更大,因此它变成了向阻挡肋的底部和阻挡肋之间提供材料的一种复杂工艺,从而使丝网印刷工艺的应用很困难。
发明概述
因此,本发明的目的是提供一种等离子体显示器及其制造方法,其中不需要形成阻挡肋的烧结工艺,可以用丝网印刷工艺来形成电极和介电层。
另一个目的是提供一种在制造等离子体显示器过程中步骤较少的等离子体显示器。
再一个目的是提供一种更容易制造、制造成本更低但仍保持或超过一般等离子体显示器质量的等离子体显示器。
再一个目的是提供一种等离子体显示器的制造方法,该方法不需要向主阻挡肋之间的最内部部分提供用于电极和介电层的材料。
为了实现以上以及其它目的,本发明提供了一种等离子体显示器及其制造方法。等离子体显示器包括彼此相对设置的第一和第二基片;在面对第二基片的第一基片表面上形成的多个第一电极;覆盖第一电极形成的第一介电层;在面对第一基片的第二基片表面上形成的多个主阻挡肋,主阻挡肋定义了多个放电单元;在主阻挡肋之间的第二基片上形成的多个电极阻挡肋;在放电单元内形成的荧光层;以及设置在放电单元中的放电气体,其中主阻挡肋一体地形成于第二基片,并且按顺序在每个电极阻挡肋的末端上形成第二电极和第二介电层。
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