[发明专利]导电膜形成方法,缺陷补偿方法、光电元件及其制造方法

权利要求书

1.一种通过溅射法在形成在衬底上的半导体层上形成透明导电膜的方法，包括：彼此独立地将电压分别施加于靶和衬底，控制在衬底中出现的偏压以便仅在除了半导体层的有缺陷区域之外的部分上形成透明导电膜。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于这样控制施加于靶和衬底的电压的至少一种：当电压仅施加于靶时，衬底的自偏压是-20V至0V；当电压彼此独立地分别施加于靶和衬底时，衬底的自偏压是-90V至-30V。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于来自第一电源的电压施加于靶，来自第二电源的电压施加于衬底。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于这样控制反应气体的引入量，使得当电压彼此独立地分别施加于靶和衬底时，在透明导电膜的形成期间中In的发射强度与仅在Ar气氛中在放电期间In的发射强度的比率在0.15至0.36的范围内。

5.一种补偿存在于形成在衬底上的半导体层中的有缺陷区域的方法，包括：

彼此独立地、分别地将电压施加于靶和衬底，控制在衬底中出现的偏压以由溅射法形成透明导电膜；以及

将透明导电膜浸渍在酸、盐或碱电解液中并施加偏压。

6.一种制造光电元件的方法，包括：

在衬底上形成半导体层；以及

通过权利要求1所述方法在半导体层上形成透明导电膜。

7.根据权利要求6的方法，其特征在于在半导体层形成在衬底上之前，将背面反射层层叠在衬底上。

8.一种制造光电元件的方法，包括：

在衬底上形成半导体层；以及

通过权利要求5所述方法补偿存在于半导体层中的缺陷。

9.根据权利要求8的方法，其特征在于在半导体层形成在衬底上之前，将背面反射层层叠在衬底上。

10.根据权利要求6的方法，其特征在于利用滚轴式系统制造光电元件，在此系统中，在将细长衬底在辊子之间拉伸的同时将细长衬底从辊子传送到辊子。

11.一种至少包括在衬底上半导体层、形成在半导体层上的透明导电膜的光电元件，此光电元件通过权利要求6所述方法制造。

12.根据权利要求11的光电元件，其中包括在衬底和半导体层之间的反射层。

13.一种通过溅射法在形成在衬底上的半导体层上形成透明导电膜的方法，包括：彼此独立地将电压分别施加于靶和衬底，以便至少满足下述条件(1)和(2)：

(1)在电压仅施加于靶的状态下，衬底的自偏压是-20V至0V；

(2)在电压彼此独立地分别地施加于靶和衬底的状态下，衬底的自偏压是-90V至-30V。