[发明专利]往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板

权利要求书

1.一种往氮化镓结晶掺杂氧的方法，其特征是，在供给：不含Si化合物的镓原料、氮原料和必须掺杂的含氧的原料气的同时保住C面以外的表面，使氮化镓结晶气相成长，通过该C面以外的面，往结晶中进行氧的掺杂。

2.权利要求1所述的往氮化镓结晶中掺杂氧的方法，其特征是，在保住{kk-2kh}面(k，h为整数)同时，使氮化镓结晶成长，通过{kk-2kh}面，往结晶中进行氧的掺杂。

3.权利要求1所述的往氮化镓结晶中掺杂氧的方法，其特征是，在保住{k-k0h}面(k，h为整数)的同时，使氮化镓结晶成长，通过{k-k0h}面，往结晶中进行氧的掺杂。

4.权利要求2所述的往氮化镓结晶中掺杂氧的方法，其特征是，在保住{11-20}面(A面)的同时，使氮化镓结晶成长，通过{11-20}面，往结晶中进行氧的掺杂。

5.权利要求3所述的往氮化镓结晶中掺杂氧的方法，其特征是，在保住{1-100}面(M面)的同时，使氮化镓结晶成长，通过{1-100}面，往结晶中进行氧的掺杂。

6.一种往氮化镓结晶中掺杂氧的方法，其特征是，以c轴方向使氮化镓进行结晶成长时，在供给不含Si化合物的镓原料、氮原料和必要掺杂的含氧的原料气的同时，使产生C面以外的小平面，在保住小平面的同时使氮化镓结晶以c轴方向气相成长，通过该小平面，往结晶中进行氧的掺杂。

7.权利要求6所述的往氮化镓结晶中掺杂氧的方法，其特征是，使发生以{kk-2kh}(k，h为整数)表示的小平面，在保住{kk-2kh}小平面的同时，使氮化镓结晶以c轴方向气相成长，通过{kk-2kh}小平面，往结晶中掺杂氧。

8.权利要求7所述的往氮化镓结晶中掺杂氧的方法，其特征是，通过使具有由{11-22}面构成的小平面的结晶成长，从该小平面进行氧的掺杂。

9.权利要求6所述的往氮化镓结晶中掺杂氧的方法，其特征是，使发生以{k-k0h}(k，h为整数)表示的小平面，在保住{k-k0h}小平面的同时，使氮化镓结晶以c轴方向气相成长，通过{k-k0h}小平面，往结晶中进行氧的掺杂。

10.权利要求9所述的往氮化镓结晶中掺杂氧的方法，其特征是，通过使具有由{1-101}面构成的小平面的结晶成长，从该小平面进行氧的掺杂。

11.权利要求6所述的往氮化镓结晶中掺杂氧的方法，其特征是，使发生以{kk-2kh}(k，h为整数)和{k-k0h}(k，h为整数)表示的面方位不同的2种以上的小平面，在保住{kk-2kh}和{k-k0h}小平面的同时，使氮化镓结晶以c轴方向气相成长，通过{kk-2kh}和{k-k0h}小平面，往结晶中进行氧的掺杂。

12.一种氮化镓单晶基板，其中，往具有C面以外的面(非C面)的氮化镓单晶基板上，供给不含Si化合物的镓原料、氮原料、含氧或含氧化物的原料气的同时，保住C面以外的表面(非C面)，使氮化镓结晶以非c轴方向气相成长，通过该C面以外的非C面，往结晶中进行氧的掺杂，除去或不除去非C面氮化镓基板，得到独立的含有作为n型杂质的氧的非C面n型氮化镓单晶基板。

13.权利要求12所述的氮化镓单晶基板，其特征是，在具有{kk-2kh}面(k，h为整数)的氮化镓单晶基板上，在保住{kk-2kh}面的同时，使氮化镓结晶成长，通过{kk-2kh}面，往结晶中进行氧的掺杂由此得到的n型具有{kk-2kh}面。

14.权利要求12所述的氮化镓单晶基板，其特征是，在具有{k-k0h}面(k，h为整数)的氮化镓单晶基板上，在保住{k-k0h}面的同时，使氮化镓结晶成长，通过{k-k0h}面，往结晶中进行氧掺杂，由此得到的n型中具有{k-k0h}面。

15.权利要求13所述的氮化镓单晶基板，其特征是，在具有{11-20}面(A面)的氮化镓基板上，在保住{11-20}面(A面)的同时，使氮化镓结晶成长，通过{11-20}面，往结晶中进行氧的掺杂，由此得到的n型中具有{11-20}面(A面)。