[发明专利]第III族氮化物半导体激光器及其制造方法

权利要求书

1、一种具有多个由第III族氮化物半导体构成的结晶层的氮化物半导体激光器，其中第III族氮化物半导体由公式(Al_xGa_1-x)_1-yIn_yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1)表示，包括：

接近于在所述第III族氮化物半导体结晶层中的激活层并且由Al_x’Ga_1-x’-y’In_y’N(其中0≤x’≤1，0≤y’≤1)构成的激活层侧导引层；

沉积在所述激活层侧导引层上并且具有条纹状孔隙的一个电流压缩AlN层；

由Al_x”Ga_1-x”-y”In_y”N(其中0≤x”≤1，0≤y”≤1)构成的并且沉积以填充所述电流压缩层孔隙的电极侧导引层；以及

由Al_uGa_1-u-vIn_vN(其中0≤u≤1，0≤v≤1)构成并且沉积在所述电极侧导引层上的一个镀层。

2、按照权利要求1中所述的氮化物半导体激光器，其中所述电流压缩层在温度为400-600℃之间沉积。

3、按照权利要求1或者2所述的氮化物半导体激光器，其中所述电流压缩层的薄膜厚度为100-800。

4、按照权利要求3所述的氮化物半导体激光器，其中所述电流压缩层的薄膜厚度是200-600。

5按照权利要求1-4中任何一个所述的氮化物半导体激光器，其中所述引导层具有p型导电性。

6、按照权利要求1-5中任何一个所述的氮化物半导体激光器，其中所述引导层包括II族成分。

7、按照权利要求1-6中任何一个所述的氮化物半导体激光器，其中由Al_zGa_1-zN(其中0.05≤z≤0.3)构成的半导体层插入在所述激活层和所述激活层-侧导引层之间。

8、按照权利要求1-6中任何一个所述的氮化物半导体激光器，其中所述激活层-侧导引层能带间隙，所述电极-侧导引层和所述镀层分别是Eg₁，Eg₂和Eg₃，它们的关系是Eg₁≤Eg₂≤Eg₃。

9、一种用于制造具有多个由第III族氮化物半导体构成的结晶层的氮化物半导体激光器的方法，其中第III族氮化物半导体由公式(Al_xGa_1-x)_1-yIn_yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1)表示，包括步骤：

在激活层侧导引层上形成一个电流压缩AlN层，其中激活层侧导引层接近于在第III族氮化物半导体结晶层中的激活层并且该层由Al_x’Ga_1-x’-y’In_y’N(其中0≤x’≤1，0≤y’≤1)构成；

在所述电流压缩层中形成条纹状孔隙；

用由Al_x”Ga_1-x”-y”In_y”N(其中0≤x”≤1，0≤y”≤1)构成的电极侧导引层掩盖所述电流压缩层；以及

在所述电极侧导引层上形成由Al_uGa_1-u-vIn_vN(其中0≤u≤1，0≤v≤1)构成的镀层。

10、按照权利要求9的制造方法，其中所述结晶层的增长由有机金属的化学气相淀积执行。

11、按照权利要求9或者10的制造方法，其中由Al_zGa_1-zN(其中0.05≤z≤0.3)构成的半导体层在形成所述激活层侧导引层的步骤之前增长。

12、按照权利要求9-12中任何一个所述的制造方法，其中所述电流压缩层在形成所述电流压缩层的步骤中，在温度为400-600℃之间沉积。

13、按照权利要求9-12中任何一个所述的制造方法，其中形成所述电流压缩层的步骤包括湿法蚀刻所述电流压缩层以便形成条纹状孔隙的步骤。