[发明专利]具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构及其形成方法有效
| 申请号： | 02106071.1 | 申请日： | 2002-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1450654A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 林友民;侯拓宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/10;H01L21/283;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 介电常数 复晶硅栅间介电层 结构 及其 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
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