[发明专利]用于利用磁场形成金属薄膜的溅射装置无效
| 申请号： | 02106239.0 | 申请日： | 2002-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1407130A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 朴荣奎;严显镒;申在光;金圣九 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜,谷惠敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 利用 磁场 形成 金属 薄膜 溅射 装置 | ||
【说明书】：
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