[发明专利]树脂密封型半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 02106498.9 申请日: 2002-03-01
公开(公告)号: CN1374697A 公开(公告)日: 2002-10-16
发明(设计)人: 南尾匡纪;野村彻;川合文彦 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/50 分类号: H01L23/50;H01L23/28;H01L21/50
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 树脂 密封 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种树脂密封型半导体装置,其特征在于:

它具备:垫板、半导体芯片、第1引线、第2引线、第3引线、金属细线和密封树脂,

半导体芯片搭载在所述垫板上,

第1引线具有设在上面上的第1焊接区和设在下面上的第1接合区,

第2引线具有设在上面上的第2焊接区和设在下面上的第2接合区,

第3引线具有设在上面上的第3焊接区和设在下面上的第3接合区,

金属细线将所述半导体芯片的各一部和所述各引线的各焊接区连接起来,

密封树脂将所述半导体芯片、所述各引线、所述金属细线及所述垫板密封起来;

所述第1引线和第3引线相互分离,一方面所述第1引线的一端从所述密封树脂暴露出来,而所述第3引线的两端存在于密封树脂内。

2.根据权利要求1所述的树脂密封型半导体装置,其特征在于:

至少所述第2引线具有俯视宽度比其他部分狭窄的蜂腰状部。

3.根据权利要求1所述的树脂密封型半导体装置,其特征在于:

所述各引线中所述各焊接区周围区域的厚度比所述各焊接区部分薄,在所述各焊接区和它周围的区域间存在台阶高度差。

4.根据权利要求1所述的树脂密封型半导体装置,其特征在于:

所述第1、第2及第3接合区从密封树脂的下方露出,俯视呈3列配置。

5.根据权利要求1~4中任一权利要求所述的树脂密封型半导体装置,其特征在于:

所述第2引线和所述第1及第3引线沿着框架主体开口区域的边缘交互配置。

6.一种树脂密封型半导体装置的制造方法,其特征在于:

它包含以下工程:

(a)准备引线架工程,在工程(a)中准备的引线架具备具有多个开口区域的框架主体和分别配设在所述框架主体中各开口区域内的垫板及引线群,所述引线群至少包含具有设在上面上的第1焊接区及设在下面上的第1接合区的第1引线,具有设在上面上的第2焊接区及设在下面上的第2接合区的第2引线,具有设在上面上的第3焊接区及设在下面上的第3接合区、与所述第1引线连接的第3引线;

(b)将密封板贴付到所述引线架的下面上的工程;

(c)在所述各开口区域的垫板上分别搭截半导体芯片的工程;

(d)用金属细线将所述各半导体芯片各一部和所述各第1~第3焊接区相互电气连接的工程;

(e)用密封树脂将所述各开口区域的所述各半导体芯片、所述各引线、所述各金属细线及所述各垫板密封起来,形成密封体的工程;

(f)去除所述密封板的工程;

(g)将在所述工程(e)中得到的密封体全体分割成一个个树脂密封型半导体装置的工程;

(h)在所述工程(b)后所述工程(e)前、由切断所述第1引线和第3引线间的连接部,使所述第1引线和第3引线电气分离的工程。

7.根据权利要求6所述的树脂密封型半导体装置的制造方法,其特征在于:

在所述工程(a)中,至少在所述第2引线上、在所述第2焊接区和所述框架主体之间的区域上,设置有俯视宽度比其它部分窄的蜂腰状部。

8.根据权利要求6所述的树脂密封型半导体装置的制造方法,其特征在于:

在所述工程(a)中,在所述各引线的所述各焊接区的周围区域和所述各焊接区部分之间设有台阶高度差。

9.根据权利要求6~8中任一权利要求所述的树脂密封型半导体装置的制造方法,其特征在于:

在所述工程(a)中,所述第2引线和所述第1及第3引线沿框架主体开口区域边缘交互配置。

10.根据权利要求6~8中任一权利要求所述的树脂密封型半导体装置的制造方法,其特征在于:

在所述工程(g)中,用旋转刀片切断密封体。

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