[发明专利]蚀刻方法与蚀刻装置

说明书

技术领域

本发明涉及蚀刻方法与蚀刻装置，特别是关于在制造印刷电路板的工序中，对基板上的被加工导电层进行图案蚀刻而将电路部形成图案的蚀刻方法与蚀刻装置。

背景技术

近年，随着对于半导体装置的高集成化与高功能化的要求，半导体装置的元件构造的微细化在进展。与此相适应，在安装半导体装置的印刷电路板的印刷电路部上，也对于微细化的要求升高，并进行着研究开发。

作为形成上述微细的图案的印刷电路部所用的蚀刻方法，使用扩展成锥状或扁平锥(扇)状的喷嘴的方法广为实施。

使用泵，通过上述喷嘴喷射蚀刻液，将所得到的蚀刻液滴喷射在表面上形成有铜箔的基板上。在铜箔上预先将作为掩模层的抗蚀剂模形成图案，未由抗蚀剂膜保护的铜箔与蚀刻液接触，即将铜箔加工成图案。

但是，在上述蚀刻方法中，用以往的喷嘴喷射蚀刻液时，发生朝向与蚀刻液的喷射方向垂直方向的蚀刻反应。

因此，随着印刷电路部的细微化，铜箔等的被蚀刻层的厚度比图案宽度变得厚起来时，与朝向蚀刻液的喷射方向被蚀刻的分额相比，朝向与蚀刻液的喷射方向垂直的方向被蚀刻的分额相对地变大，根据情况，有时被蚀刻层完全被蚀刻光，电路图案不残存了。

关于上述问题，即使进行提高注入蚀刻液到喷嘴内的压力等的调整也会有同样的倾向。

另外，对于以往的喷嘴来说，由于喷射蚀刻液所得到的蚀刻液滴的粒径大，在蚀刻液滴喷射在被蚀刻层上时，以成为层的形态滞留在被蚀刻层的表面上，例如在图案比例是100μm以下的微细化的电路图案的加工中，蚀刻液滴不能进入被蚀刻层上的抗蚀剂膜的图案内，蚀刻液滴有效地作用于被蚀刻层的表面上成为困难。

就是说，蚀刻液的疲劳液成分滞留在被蚀刻层的表面附近，蚀刻液的新液成分就只能通过扩散到达被蚀刻层的表面。

因此，蚀刻速度变慢，另外，朝向蚀刻液喷射方向的蚀刻速度与朝向垂直于蚀刻液喷射方向的蚀刻速度变得一样了，由于电路图案的侧面蚀刻的进行，电路图案的形成就变得困难了。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种蚀刻方法与实现该方法的蚀刻装置，例如在微细化到100μm以下的图案的蚀刻中，也能抑制侧面蚀刻的进行，蚀刻形成高精细的图案，并能提高蚀刻效率。

为达到上述目的，本发明的蚀刻方法具有：将蚀刻液与气体混合，用2流体喷嘴进行喷射以发生蚀刻液的微小液滴的工序；将蚀刻对象物与上述2流体喷嘴的间距取为50～500mm，将上述蚀刻液的微小液滴喷射在上述蚀刻对象物上，对上述蚀刻对象物进行蚀刻的工序。

上述本发明的蚀刻方法，适合的是，就要将与上述蚀刻对象物进行碰撞时的上述蚀刻液的微小液滴的速度设定在30～300m/秒。

上述本发明的蚀刻方法，适合的是，就要使上述蚀刻液的微小液滴的粒径为15～100μm。

上述本发明的蚀刻方法，适合的是，就要上述蚀刻对象物是在表面上形成导电层与掩模层的基板，沿着上述掩模层的图案对上述导电层进行蚀刻，以将电路部形成图案。

上述本发明的蚀刻方法，适合的是，就要在对上述蚀刻对象物进行蚀刻工序之后，还有连续地冲洗的工序。

上述本发明的蚀刻方法，适合的是，就要配置遮蔽板，在使用前述2流体喷嘴进行喷射时，对该2流体喷嘴的喷射口附近，将由该喷射口倾斜进行的成分遮蔽。

上述本发明的蚀刻方法，适合的是，就要使用多个前述2流体喷嘴，在使用前述2流体喷嘴喷射时，使前述2流体喷嘴喷射出的微小液滴扩展的扇状范围的端部与端部重合地配置前述各2流体喷嘴。

上述本发明的蚀刻方法，是将蚀刻液与气体混合，由2流体喷嘴进行喷射，与上述蚀刻对象物进行碰撞时上述蚀刻液的微小液滴的速度为30～300m/秒，发生粒径为15～100μm的蚀刻液的微小液滴，其次，表面上形成导电层与掩模层的基板等的蚀刻对象物与2流体喷嘴的间距为50～500mm，将蚀刻液的微小液滴喷射在蚀刻对象物上，沿着掩模层的图案对导电层进行蚀刻，以将电路部形成图案等，将蚀刻对象物进行蚀刻。

在蚀刻之后，能连续地进行冲洗。

采用上述本发明的蚀刻方法，由于将蚀刻液与气体混合由2流体喷嘴进行喷射，能发生例如粒径为15～100μm的蚀刻液的微小液滴。因此，例如在微细化到100μm以下的图案的蚀刻中，蚀刻液的微小液滴也能进入图案内。