[发明专利]偏置控制电路

权利要求书

1.一种控制高频功率放大器的偏压电流用的偏置控制电路，其特征在于，

该偏置控制电路具有用于输入控制电压、并将该控制电压变换成要供给高频功率放大器的偏压控制电压的电压变换电路，所述电压变换电路包括：

2级差分放大器，该2级差分放大器由2对放大用晶体管构成，具有反相输入端、非反相输入端、反相输出端及非反相输出端，从所述反相输入端输入所述控制电压，并从所述反相输出端及所述非反相输出端分别输出反相输出电压及非反相输出电压；

输出晶体管，该晶体管用于对所述2级差分放大器的所述非反相输出电压进行低阻抗变换而获得输出电压，并将该输出电压输出到所述高频功率放大器作为所述偏压控制电压；

反馈电路，用于将所述输出电压全反馈给所述2级差分放大器的所述非反相输入端，并将所述2级差分放大器的所述反相输出电压反馈给所述反相输入端；以及，

连接有二极管的偏压用晶体管，用于规定构成所述2级差分放大器的第1放大器级的一对放大用晶体管的各基极电压。

2.根据权利要求1所述的偏置控制电路，其特征在于，与所述偏置控制电路一起使用的所述高频功率放大器由晶体管构成。

3.根据权利要求2所述的偏置控制电路，其特征在于，所述高频功率放大器随着加在构成高频功率放大器的晶体管上的基极、发射极间电压的变化，所述高频功率放大器的输出功率发生变化，所述偏置控制电路对所述高频功率放大器的所述偏压电流进行最佳控制，以使所述高频功率放大器的所述输出功率成为与所述控制电压对应的所需输出功率。

4.根据权利要求2所述的偏置控制电路，其特征在于，所述偏置控制电路由晶体管集成电路构成，与构成所述高频功率放大器的晶体管同时被集成电路化。

5.根据权利要求4所述的偏置控制电路，其特征在于，所述偏置控制电路由可由1.5伏或3.0伏的直流电源电压驱动的晶体管集成电路所构成。

6.根据权利要求5所述的偏置控制电路，其特征在于，构成所述偏置控制电路的晶体管集成电路的至少一部分由最大基极、发射极间电压为电池供给的直流电源电压的一半程度的晶体管所构成。

7.根据权利要求6所述的偏置控制电路，其特征在于，构成所述偏置控制电路的晶体管集成电路的至少一部分由最大基极、发射极间电压约为1.4V的异质结双极晶体管所构成。

8.根据权利要求6所述的偏置控制电路，其特征在于，构成所述偏置控制电路的晶体管集成电路的至少一部分由最大基极、发射极间电压约为0.7V的Si双极晶体管所构成。

9.根据权利要求1所述的偏置控制电路，其特征在于，还具有对所述2级差分放大器的所述反相输入端加上温度补偿用电压用的温度补偿电路。

10.根据权利要求9所述的偏置控制电路，其特征在于，所述温度补偿电路具有；

连接有二极管的温度传感用晶体管串联连接的电阻桥接电路；

由一对放大用晶体管构成、将所述电阻桥接电路的电桥输出放大而获得误差电压的误差放大器；以及，

将该误差放大器的输出电压进行低阻抗变换而生成所述温度补偿用电压的输出用晶体管。

11.根据权利要求9所述的偏置控制电路，其特征在于，所述温度补偿电路及所述电压变换电路分别由晶体管集成电路构成，所述温度补偿电路与所述电压变换电路同时被集成电路化。

图面的简单说明晶体管。更理想的是，温度补偿电路及电压变换电路分别由晶体管集成电路构成，温度补偿电路与电压变换电路同时被集成电路化