[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，是在半导体衬底上形成晶体管而构成的，其特征是将用于接触连接下层和上层的接触部配置成多个列。

2.一种半导体器件，是在半导体衬底上形成第1晶体管和第2晶体管而构成的，其特征是形成用于接触连接上述第1晶体管和第2晶体管中的下层和上层的接触部的形成数是不同的。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征是对于上述第1晶体管，将用于接触连接下层和上层的接触部配置成1列；以及

对于上述第2晶体管，将用于接触连接下层和上层的接触部配置成多个列。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征是上述第2晶体管具有源·漏层使其邻接栅电极，该栅电极下方形成构成沟道的半导体层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征是在上述第2晶体管的栅电极下方，形成跟该源·漏层同一导电型的低浓度层，使其连到上述源·漏层并接连上述半导体层。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征是在上述第2晶体管的栅电极下方，在上述半导体表层浅扩展形成跟该源·漏层同一导电型的低浓度层，使其连到上述源·漏层并接连上述半导体层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征是上述接触部是用于接触连接源·漏层的。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征是上述接触部是用于接触连接下层布线和下层布线的。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征是在上述接触部埋入具有导电性的膜。

10.一种半导体器件，其特征是具备：

一导电型的半导体内形成的低浓度反向导电型源·漏层；

上述低浓度反导电型源·漏层内形成的高浓度反向导电型源·漏层；

上述半导体上隔着栅氧化膜形成的栅电极；

形成于上述栅电极下方，并位于上述源·漏层间构成沟道的一导电型半导体层；

接触上述源·漏层的多个排列的接触部；以及

通过上述接触部，接触连接上述源·漏层的源·漏电极。

11.一种在半导体衬底上形成晶体管而构成的半导体器件的制造方法，其特征是将用于接触连接下层和上层的接触部形成为多个列。

12.一种在半导体衬底上形成第1晶体管和第2晶体管而构成的半导体器件的制造方法，其特征是形成用于接触连接上述第1晶体管和第2晶体管中的下层和上层接触部的形成数是不同的。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征是对于上述第1晶体管，将用于接触连接下层和上层的接触部配置成1列；以及

对于上述第2晶体管，将用于接触连接下层和上层的接触部配置成多个列。

14.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征是上述接触部是用于接触连接源·漏层的。

15.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征是上述接触部是用于接触连接下层布线和下层布线的。

16.一种在一导电型的半导体上隔着栅氧化膜形成栅电极而构成的半导体器件的制造方法，其特征是具备：

向半导体内离子注入反向导电型杂质，形成低浓度反向导电型源·漏层的工序；

通过离子注入反向导电型杂质，形成连到上述低浓度反向导电型源·漏层的低浓度反向导电型层的工序；

通过离子注入反向导电型杂质，在上述低浓度的反向导电型源·漏层内形成高浓度的反向导电型源·漏层的工序；

通过离子注入一导电型杂质，在上述栅电极下方形成隔断上述反向导电型层的一导电型体层的工序；以及

介以被覆上述栅电极的层间绝缘膜，按多个列形成用于接触连接上述源·漏层的接触部的工序。

17.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征是在上述接触部内埋入形成具有导电型的膜。

18.一种半导体器件，其特征是在构成焊盘部的凸形电极下不形成通孔。

19.一种半导体器件，是通过形成于被覆下层布线的层间绝缘膜内的通孔，接触连接上层布线而构成的，其特征是，

上述通孔是在构成焊盘部的凸形电极下以外的区域中形成的。