[发明专利]半导体器件

权利要求书

1、一种半导体器件，包括：形成在衬底上的GaN膜、形成在上述GaN膜上的AlGaN膜、形成在上述AlGaN膜上的栅电极、形成在上述AlGaN膜上上述栅电极两侧的源电极和漏电极，其中：

在上述源电极和上述AlGaN膜之间、上述漏电极和上述AlGaN膜之间分别形成了n型In_xGa_yAl_1-x-yN膜(0＜x＜1，0≤y＜1，0＜x+y＜1)。

2、根据权利要求第1项所述的半导体器件，其中：

设定上述n型In_xGa_yAl_1-x-yN膜的组成，既保证上述In_xGa_yAl_1-x-yN膜的晶格常数和上述GaN膜的晶格常数大致匹配，又保证在上述In_xGa_yAl_1-x-yN膜内产生的极化的大小和在上述AlGaN膜内产生的极化大小相等，或者比在上述AlGaN膜内产生的极化的大小大。

3、根据权利要求第1项所述的半导体器件，其中：

在上述GaN膜和上述AlGaN膜之间，形成InGaN膜或者InGaN膜和其它GaN膜的叠层膜。

4、一种半导体器件，其中：

包括：形成在衬底上的GaN膜、形成在上述GaN膜上的n型In_xGa_yAl_1-x-yN膜(0＜x＜1，0≤y＜1，0＜x+y＜1)、形成在上述In_xGa_yAl_1-x-yN膜上的栅电极以及形成在上述In_xGa_yAl_1-x-yN膜上上述栅电极两侧的源电极和漏电极。

5、根据权利要求第4项所述的半导体器件，其中：

设定上述In_xGa_yAl_1-x-yN膜的组成，保证上述In_xGa_yAl_1-x-yN膜的晶格常数和上述GaN膜的晶格常数大致匹配。

6、根据权利要求第4项所述的半导体器件，其中：

在上述GaN膜和上述In_xGa_yAl_1-x-yN膜之间，形成了InGaN膜或者InGaN膜与其它GaN膜的叠层膜。