[发明专利]半导体器件、电路衬底、光电装置和电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括半导体膜，在所述半导体膜上的至少一部分中形成的栅极绝缘膜和在所述栅极绝缘膜上形成的栅极，其特征在于：

所述栅极与所述半导体膜的端部不重合地形成。

2.一种半导体器件，包括具有源极区和漏极区的半导体膜，在所述半导体膜上的至少一部分中形成的栅极绝缘膜和在所述栅极绝缘膜上形成的栅极，其特征在于：

所述栅极的宽度比所述半导体膜的宽度小。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于：

还具备连接于所述栅极上的副栅极。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：

在所述栅极上配置所述副栅极。

5.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于：

所述副栅极与所述半导体膜的端部重合地配置。

6.一种半导体器件，包括半导体膜，在所述半导体膜上的至少一部分中形成的栅极绝缘膜和在所述栅极绝缘膜上形成的栅极，其特征在于：

在所述半导体膜的端部具备由未掺杂掺杂物的本征半导体形成的区。

7.一种半导体器件，包括半导体膜，在所述半导体膜上的至少一部分中形成的栅极绝缘膜和在所述栅极绝缘膜上形成的栅极，其特征在于：

在所述半导体膜上，具备由未掺杂掺杂物的本征半导体形成的、向所述栅极外侧延伸的区。

8.一种半导体器件，包括具有源极区和漏极区的半导体膜，在所述半导体膜上的至少一部分中形成的栅极绝缘膜和在所述栅极绝缘膜上形成的栅极，其特征在于：

在所述半导体膜上，具备由未掺杂掺杂物的本征半导体形成的、从所述栅极向所述源极区或所述漏极区方向延伸的区。

9.一种半导体器件，包括具有源极区和漏极区的半导体膜，在所述半导体膜上的至少一部分中形成的栅极绝缘膜和在所述栅极绝缘膜上形成的栅极，其特征在于：

在所述半导体膜上，具备多个由未掺杂掺杂物的本征半导体形成的、向源极区或所述漏极区方向延伸的区。

10.根据权利要求1至9之一所述的半导体器件，其特征在于：

所述半导体膜形成于绝缘膜上。

11.一种电路衬底，包括根据权利要求1至10之一所述的半导体器件和向所述半导体器件提供信号或供电的布线。

12.一种光电装置，具备权利要求11所述的电路衬底、形成于所述电路衬底上方的第一电极和形成于所述第一电极上方的光电元件。

13.一种光电装置，其特征在于：

将光电元件和权利要求7-9之一所述的半导体器件用作从移位寄存器、电平移位器、缓冲电路和模拟开关中选择的至少一个电子电路。

14.根据权利要求12或13所述的光电装置，其特征在于：所述光电元件为有机场致发光元件。

15.一种电子设备，具备权利要求11或12所述的光电装置作为显示部。