[发明专利]芯片散热封装结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 02107142.X 申请日: 2002-03-11
公开(公告)号: CN1372317A 公开(公告)日: 2002-10-02
发明(设计)人: 许志行 申请(专利权)人: 威盛电子股份有限公司
主分类号: H01L23/34 分类号: H01L23/34;H05K7/20;H01L21/50
代理公司: 隆天国际专利商标代理有限公司 代理人: 陈红,潘培坤
地址: 台湾省*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片 散热 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1、一种芯片散热封装结构,包含一基板、一设置于该基板上的管芯、一散热装置、一封胶材料,其特征在于:

该散热装置为一散热片,设置于该管芯上,该散热片与该管芯的一表面间通过一第一导热胶粘合;

该封胶材料覆于该基板、该管芯与该散热片上。

2、如权利要求1所述的芯片散热封装结构,其特征在于所述的管芯的另一表面与该基板间通过一第二导热胶粘合。

3、如权利要求1所述的芯片散热封装结构,其特征在于所述的基板为一导线架,该管芯直接通过一第二导热胶与该导线架粘合。

4、如权利要求1所述的芯片散热封装结构,其特征在于所述的管芯设置于该基板的一凹槽内,该管芯的另一表面通过一第二导热胶与一第二散热片粘合。

5、如权利要求4所述的芯片散热封装结构,其特征在于所述的第二散热片还通过一第三导热胶与一散热装置粘合。

6、如权利要求1、2、3、4或5所述的芯片散热封装结构,其特征在于所述的散热片的材料为铜、铝或硅化物。

7、如权利要求1、2、3、4或5所述的芯片散热封装结构,其特征在于所述的第一导热胶与第二导热胶为一高导热系数的材质。

8、如权利要求1、2、3、4或5所述的芯片散热封装结构,其特征在于所述的第一导热胶与第二导热胶为一添加银、硅、铁弗龙或氮化硼至少其中之一的树脂材质。

9、如权利要求1所述的芯片散热封装结构,其特征在于所述的散热片内埋于该封胶材料或裸露于该封胶材料外。

10、如权利要求1所述的芯片散热封装结构,其特征在于所述的基板还设置有多个锡球和多个导槽,该多个锡球与该管芯设置在该基板的不同侧面上,且该导槽的一端连接该锡球,另一端连接一导线,该导线与该管芯具有电性连接。

11、一种如权利要求1所述的芯片散热封装结构的制造方法,其特征在于包含下列步骤:

切割晶片,执行散热封装结构中的一管芯的切割;

粘贴管芯,该管芯借由一第二导热胶粘贴于一基板上;

第一固化处理,经一时间等待,该第二导热胶固化,将该管芯固定于该基板上;

粘贴散热片,借由一第一导热胶涂于该管芯一表面与一散热片粘贴;

第二固化处理,经一时间等待,该第一导热胶固化,将该散热片固定于该管芯上;

拉线,执行该管芯的多个接脚与该基板上设置的多个导槽的多个导线连接;

封胶,于该基板、该管芯、该散热片与该导线上作封胶材料的设置;

焊贴锡球,借由多个锡球与该多个导槽焊贴。

12、如权利要求11所述的芯片散热封装结构的制造方法,其特征在于所述的导线的材质为金、铜或铝。

13、如权利要求11所述的芯片散热封装结构的制造方法,其特征在于所述的散热片采用一高导热系数的材质。

14、如权利要求11所述的芯片散热封装结构的制造方法,其特征在于所述的散热片的材料为铜、铝或硅化物。

15、如权利要求11所述的芯片散热封装结构的制造方法,其特征在于所述的第一导热胶与第二导热胶采用一高导热系数的材质。

16、如权利要求11所述的芯片散热封装结构的制造方法,其特征在于所述的该第一导热胶与该第二导热胶采用一添加银、硅、铁弗龙及氮化硼中至少其一的树脂材质。

17、如权利要求11所述的芯片散热封装结构的制造方法,其特征在于,还有一第二散热片粘贴的步骤,该步骤是在切割晶片前,将该第二散热片设置于该基板上。

18、如权利要求17所述的芯片散热封装结构的制造方法,其特征在于所述的第二散热片是通过该第二导热胶与该管芯粘贴。

19、如权利要求11所述的芯片散热封装结构的制造方法,其特征在于所述的封胶材料是采用压模式、点胶或真空印刷方式设置的。

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