[发明专利]具有钌或氧化钌的半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，此半导体器件包含钌和氧化钌中的至少一种，包括：

利用包含氧气或臭氧气体和氮气的气体混合物灰化钌或氧化钌上的光敏感材料，其中氮气的百分含量为50％或更高。

2.如权利要求1所述的方法，其中在200℃或更高的温度下通过加热其上形成了钌或氧化钌的衬底进行灰化。

3.如权利要求1所述的方法，其中在利用光敏感材料作为掩模蚀刻钌或氧化钌上的层间绝缘膜之后进行灰化。

4.如权利要求1所述的方法，其中在利用光敏感材料作为掩模构图钌或氧化钌之后进行灰化。

5.一种半导体器件的制造方法，此半导体器件包含钌和氧化钌中的至少一种，包括：

在衬底上形成由钌或氧化钌制成的膜；

在钌或氧化钌膜上形成层间绝缘膜；

在层间绝缘膜上施加光敏感材料，构图所施加的光敏感材料；

利用已构图的光敏感材料作为掩模，蚀刻层间绝缘膜；以及

利用作为气体混合物提供的灰化气体使已构图的光敏感材料灰化，气体混合物包含氧气或臭氧气体和包含氮气的气体，其中氮气的百分含量为50％或更高。

6.如权利要求5述的方法，其中在200℃或更高的温度下通过加热衬底进行灰化。

7.如权利要求5述的方法，其中在蚀刻层间绝缘膜的步骤中形成用于暴露钌膜或氧化钌膜的接触孔。

8.如权利要求5述的方法，其中层间绝缘膜由二氧化硅制成。