[发明专利]电光基板装置及其制造方法、电光装置、电子装置基板装置的制造方法

权利要求书

1.一种电光基板装置，其特征在于：

在基板上具有绝缘体层；在该绝缘体层上形成的包含P型的源区和P型的漏区以及沟道区的N型的单晶半导体层；在上述沟道区的上述单晶半导体层上通过栅绝缘膜形成的栅极；与该栅极连接的扫描线；与上述源区和上述漏区中的一方连接的数据线；以及与上述源区和上述漏区中的另一方连接的像素电极，由上述单晶半导体层、上述栅绝缘膜和上述栅极构成开关控制上述像素电极的P沟道型晶体管。

2.如权利要求1所述的电光基板装置，其特征在于：

上述晶体管由P沟道MOS(金属-氧化物-硅)型晶体管构成。

3.如权利要求1所述的电光基板装置，其特征在于：

进而具有在上述栅极上形成的层间绝缘膜；在该层间绝缘膜上形成的、并且与上述源区连接的由P型导电层构成的源极；在该层间绝缘膜上形成的、并且与上述漏区连接的由P型导电层构成的漏极，上述数据线转接上述源极和上述漏极中的一方而与上述源区和上述漏区中的一方连接，上述像素电极转接上述源极和上述漏极中的另一方而与上述源区和上述漏区中的另一方连接。

4.如权利要求3所述的电光基板装置，其特征在于：

上述P型导电层是在淀积导电层后利用离子注入技术搀杂为P型的。

5.如权利要求3所述的电光基板装置，其特征在于：上述源极通过在上述层间绝缘膜上开设的接触孔与上述源区连接，上述漏极通过在上述层间绝缘膜上开设的接触孔与上述漏区连接。

6.如权利要求1所述的电光基板装置，其特征在于：

在上述基板上进而具有从下侧覆盖上述沟道区的下侧遮光膜，上述绝缘体层在上述下侧遮光膜上形成。

7.如权利要求1所述的电光基板装置，其特征在于：

对面向上述绝缘体层的上述单晶半导体层一侧的表面进行CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光)处理。

8.如权利要求1所述的电光基板装置，其特征在于：

上述基板由石英玻璃构成。

9.如权利要求1所述的电光基板装置，其特征在于：

上述基板由玻璃构成。

10.如权利要求1所述的电光基板装置，其特征在于：

上述像素电极由透明电极构成。

11.如权利要求1所述的电光基板装置，其特征在于：

上述像素电极由反射电极构成。

12.如权利要求1所述的电光基板装置，其特征在于：

进而在形成上述基板上的上述像素电极的图像显示区域的周边具有周边电路，该周边电路包含N沟道型晶体管，在该N沟道型晶体管上设置了抽取在其半导体层上积累的载流子的导电层，在上述图像显示区域设置的上述P沟道型晶体管上未设置抽取在该半导体层上积累的载流子的导电层。

13.如权利要求1所述的电光基板装置，其特征在于：

在上述基板上进而具有将上述源区和上述漏区中的另一方与上述像素电极转接的同时，包含像素电位侧电容电极的中间导电层；以及包含通过电介质膜与该像素电位侧电容电极相向配置的固定电位侧电容电极的电容线，由上述像素电位侧电容电极和上述固定电位侧电容电极构成与上述像素电极连接的存储电容，上述电容线和上述中间导电层中至少一方由导电性的遮光膜构成，在上述基板上，包含从上侧覆盖上述沟道区的部分。

14.如权利要求13所述的电光基板装置，其特征在于：

上述存储电容从平面上看至少部分地设置在与上述扫描线重叠的区域。

15.如权利要求13所述的电光基板装置，其特征在于：

上述存储电容从平面上看至少部分地设置在与上述数据线重叠的区域。

16.一种电光装置，其特征在于：

具有权利要求1～15中的任一项所述的电光基板装置；与该电光基板装置相向配置的对置基板；以及被夹持于该对置基板与上述电光基板装置之间的电光物质。

17.一种电子装置，其特征在于：

具有权利要求16所述的电光装置。