[发明专利]基板装置、电光学装置及其制造方法和电子仪器

权利要求书

1.一种制造基板装置的基板装置制造方法，上述基板装置在基板上具有第1导电层、在该第1导电层的上方积层的第1绝缘膜、贴合在该第1绝缘膜上的第2绝缘膜和在该第2绝缘膜的上方积层的第2导电层，连接上述第1导电层和上述第2导电层的接触孔贯通上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜间的贴合界面，在上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜开孔，其特征在于：

包含贴合上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜间的贴合工序、在上述贴合工序之后通过蚀刻上述接触孔贯通上述贴合界面进行开孔的蚀刻工序和经该接触孔使上述第1导电层和上述第2导电层电连接的连接工序，

上述蚀刻工序至少从蚀刻到达上述贴合界面之前使用干腐蚀进行。

2.权利要求1记载的基板装置的制造方法，其特征在于：

上述基板装置进而具有在上述第2绝缘膜上形成的半导体层和在该半导体层上方形成的层间绝缘膜，在上述基板的上述层间绝缘膜的上方形成上述第2导电层，

在上述贴合工序之前，包括在上述基板上形成上述第1导电层的工序、在上述第1导电层上形成上述第1绝缘膜的工序和在与上述基板分开准备的包含于半导体基板的表面附近的上述半导体层上形成上述第2绝缘膜的工序，

在上述贴合工序之后，包括将上述半导体层从上述半导体基板分离出来，使上述第1绝缘膜上残留上述第2绝缘膜和上述半导体层的工序。

3.权利要求2记载的基板装置的制造方法，其特征在于：

上述半导体层由单结晶硅层形成。

4.权利要求2记载的基板装置的制造方法，其特征在于：

进而具有在上述半导体层上作成沟道区、源极区和漏极区而形成薄膜晶体管的工序和在该薄膜晶体管上形成上述层间绝缘膜的工序，

在上述蚀刻工序中，对上述接触孔进行开孔，使其贯通上述层间绝缘膜、上述第2绝缘膜和上述第1绝缘膜。

5.权利要求4记载的基板装置的制造方法，其特征在于：

在上述形成第1导电层的工序中，在上述基板的上述半导体层的至少与上述沟道区相对的区域内，由遮光性导电膜形成上述第1导电层。

6.权利要求4记载的基板装置的制造方法，其特征在于：

进而具有在上述基板上通过利用离子注入使硅膜低电阻化来形成与上述源极区连接的源极的工序和通过利用离子注入使硅膜低电阻化来形成与上述漏极区连接的漏极的工序。

7.权利要求6记载的基板装置的制造方法，其特征在于：

上述源极和上述漏极由和上述第2导电层相同的层形成。

8.权利要求1记载的基板装置的制造方法，其特征在于：

进而在上述贴合工序之前包括对上述第1绝缘膜进行CMP即化学机械研磨处理的工序。

9.权利要求1记载的基板装置的制造方法，其特征在于：

在上述贴合工序中，在上述第1绝缘膜和第2绝缘膜贴紧的状态下进行热处理而进行贴合。

10.权利要求1记载的基板装置的制造方法，其特征在于：

上述蚀刻工序使用湿腐蚀进行。

11.权利要求1记载的基板装置的制造方法，其特征在于：

上述蚀刻工序在蚀刻到达上述贴合界面之前，至少一段时间利用湿腐蚀进行，然后，利用干腐蚀进行。

12.权利要求1记载的基板装置的制造方法，其特征在于：

上述连接工序在上述接触孔内形成一部分上述第2导电层。

13.权利要求1记载的基板装置的制造方法，其特征在于：

上述连接工序在上述接触孔内形成导电性插头。

14.一种基板装置，在基板上具有第1导电层、在该第1导电层的上方积层的第1绝缘膜、贴合在该第1绝缘膜上的第2绝缘膜和在该第2绝缘膜的上方积层的第2导电层，

连接上述第1导电层和上述第2导电层的接触孔贯通上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜间的贴合界面，在上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜开孔，其特征在于：

上述接触孔的贯通上述贴合界面的地方不被腐蚀液浸蚀。