[发明专利]形成导电薄膜的材料,用其制成导电薄膜的方法以及用途无效

专利信息
申请号: 02108266.9 申请日: 1995-08-01
公开(公告)号: CN1379413A 公开(公告)日: 2002-11-13
发明(设计)人: 松田宏;藤原良治 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B5/14;H01J9/02;G02F1/13
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 陈季壮
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 形成 导电 薄膜 材料 制成 方法 以及 用途
【权利要求书】:

1.一种制造导电薄膜的方法,它包括将用以形成导电薄膜的材料涂敷到衬底上并加热该材料的步骤,其中将所述用以形成导电薄膜的材料涂敷到所述衬底上的处理包括在所述衬底上形成用以形成导电薄膜材料的单分子薄膜的步骤。

2.按照权利要求1制造导电薄膜的方法,其中它进一步包括用紫外线照射所述单分子薄膜的步骤。

3.按照权利要求2的形成导电薄膜的方法,其特征在于,在O3存在下进行所述紫外线照射。

4.按照权利要求1-3中任一项的制造导电薄膜的方法,其特征在于,用于形成导电薄膜的所述材料包括金属和疏水与亲水成分。

5.一种制造带有包括电子发射区的导电薄膜的电子发射器件的方法,其特征在于,它包括形成具有电子发射区的导电薄膜的步骤,所述步骤由按照权利要求1的形成导电薄膜的方法来实行。

6.按照权利要求5的制造电子发射器件的方法,其特征在于,它进一步包括用紫外线照射所述涂敷材料的步骤。

7.按照权利要求6的制造导电薄膜的方法,其特征在于,在O3存在下进行所述紫外线照射。

8.按照权利要求5至7中任一项的制造电子发射器件的方法,其特征在于,用于形成导电薄膜的所述材料包括金属和疏水及亲水成分。

9.一种制造由许多电子发射器件组成的电子源的方法,其中每个电子发射器件都具有包括电子发射区的导电薄膜,其特征在于,由按照权利要求5至7中任一项的方法来制造所述电子发射器件。

10.按照权利要求9的制造电子源的方法,其特征在于,用于形成导电薄膜的所述材料包括金属和疏水及亲水成分。

11.一种制造由电子发射器件和成象部件组成的成象装置的方法,其中每个电子发射器件都具有包括电子发射区的导电薄膜,其特征在于,用按照权利要求5至7中任一项的方法来制造所述电子发射器件。

12.按照权利要求11的制造成象装置的方法,其特征在于,用于形成导电薄膜的所述材料包括金属和疏水及亲水成分。

13.一种制造液晶校正膜的方法,包括把用于形成导电薄膜的材料涂敷到衬底上并对该材料进行加热的步骤,其特征在于,用于形成导电薄膜的所述材料是由金属以及疏水和亲水的材料组成。

14.按照权利要求13的形成液晶校正膜的方法,其特征在于,它进一步包括用紫外线照射所述单分子膜的步骤。

15.按照权利要求13的形成液晶校正膜的方法,其特征在于,在O3存在下进行这种紫外线照射。

16.一种制造具有液晶校正膜的液晶显示装置的方法,其特征在于,它包括形成液晶校正膜的步骤,并且用按照权利要求13的方法来实施所述步骤。

17.按照权利要求16的制造液晶显示装置的方法,其特征在于,它进一步包括用紫外线照射所述单分子膜的步骤。

18.按照权利要求17的制造液晶装置的方法,其特征在于,在O3存在下实施所述紫外线照射。

19.一种形成液晶校正膜的方法,包括把用于形成导电薄膜的材料涂敷到衬底上并对该材料进行加热的步骤,其特征在于,把用于形成导电薄膜的所述材料涂敷到所述衬底上的工艺包括在所述衬底上形成用于形成导电薄膜的所述材料的单分子膜的步骤。

20.按照权利要求19的形成液晶校正膜的方法,其特征在于,它进一步包括用紫外线照射所述单分子膜的步骤。

21.按照权利要求20的形成液晶校正膜的方法,其特征在于,在O3存在下实施所述紫外线照射。

22.按照权利要求19至21中任一项形成液晶校正膜的方法,其特征在于,用于形成导电薄膜的材料包括金属和疏水与亲水成分。

23.一种制造包括液晶校正膜的液晶显示装置的方法,其特征在于,它包括形成液晶校正膜的步骤,并且用按照权利要求19的方法来实施所述步骤。

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