[发明专利]薄膜的膜厚监控方法和基板温度测定方法

权利要求书

1.一种膜厚监控方法，其包括以下过程：当使用具有反应炉的化学水蒸气沉积装置在上述反应炉内的基板上形成薄膜时，在上述反应炉的外部测定来自上述反应炉内的辐射光，获得上述辐射光的辐射率变化与形成于上述基板上的薄膜的膜厚变化的关系；当在获得上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系后，当使用上述CVD装置在基板上形成薄膜时，测定上述辐射光的上述辐射率的变化；根据获得的上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系，从所测定出的上述辐射光的上述辐射率的变化，推定形成于上述反应炉内的基板上的上述薄膜的膜厚。

2.根据权利要求1所述的膜厚监控方法，其中，上述辐射光为从上述反应炉的内部辐射的光透过附着于上述反应炉内壁的薄膜和上述反应炉的壁材后的光。

3.根据权利要求1所述的膜厚监控方法，其中，上述辐射光的辐射率由设于上述反应炉外部的辐射温度计测定。

4.根据权利要求3所述的膜厚监控方法，其中，在上述反应炉与上述辐射温度计之间设置导入管，上述导入管排除来自上述反应炉的内部以外的周围的光，仅将上述辐射光引导至上述辐射温度计。

5.一种膜厚监控方法，包括以下过程：在向反应炉内供给反应气体从而在上述反应炉的内壁上形成薄膜后，当向上述反应炉内供给腐蚀气体对上述薄膜进行腐蚀时，在上述反应炉的外部测定来自上述反应炉内的辐射光，获得上述辐射光的辐射率的变化与存在于上述反应炉内壁上的薄膜的膜厚变化的关系；获得上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系后，向上述反应炉内供给反应气体并在上述反应炉内的基板上形成薄膜，同时在上述反应炉的内壁上形成薄膜，之后，当将腐蚀气体供给到上述反应炉内对上述薄膜进行腐蚀时，测定上述辐射光的上述辐射率的变化；根据所获得的上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系，从所测定出的上述辐射光的上述辐射率的变化，推定残存于上述反应炉内的基板上的上述薄膜的膜厚。

6.根据权利要求5所述的膜厚监控方法，其中，通过推定残存于上述基板上的上述薄膜的膜厚，推定上述薄膜被腐蚀完的时刻。

7.根据权利要求5所述的膜厚监控方法，其中，上述辐射光为从上述反应炉的内部辐射的光透过附着于上述反应炉内壁的薄膜和上述反应炉的壁材后的光。

8.根据权利要求5所述的膜厚监控方法，其中，上述辐射光的辐射率由设于上述反应炉外部的辐射温度计测定。

9.根据权利要求8所述的膜厚监控方法，其中，在上述反应炉与上述辐射温度计之间设置导入管，上述导入管排除来自上述反应炉的内部以外的周围的光，仅将上述辐射光引导至上述辐射温度计。

10.一种基板温度测定方法，其包括以下过程：圆柱杆状玻璃纤维具有一方的前端部和另一方的前端部，并且使形成于上述一方前端部的平坦面与垂直于作为温度测定对象的基板的主表面的侧面对置地配置上述玻璃纤维，而上述玻璃纤维在上述一方的前端部具有相对上述玻璃纤维的中心轴平行的上述平坦面和相对上述玻璃纤维的中心轴倾斜地切成的斜面；从上述平坦面将从上述基板的侧面辐射的光取入到玻璃纤维内，在上述一方的前端部的上述斜面使其反射，将其引导至上述另一方的前端部。

11.根据权利要求10所述的基板温度测定方法，其中，作为上述温度测定对象的基板为配置于间歇式扩散炉内的多个基板中的1个。

12.根据权利要求10所述的基板温度测定方法，其中，上述玻璃纤维的上述斜面相对玻璃纤维的中心轴切成45度，同时，其表面成为镜面状态。

13.根据权利要求10所述的基板温度测定方法，其中，在上述玻璃纤维的上述斜面上，与上述斜面的表面隔开空间地形成不透明基板。

14.根据权利要求10所述的基板温度测定方法，其中，使用具有一方的前端部和另一方的前端部的棱镜，与作为上述温度测定对象的基板的主表面对置地配置上述一方的前端部的侧面，同时，与上述玻璃纤维的上述平坦面对置地配置上述另一方的前端部；上述棱镜在与上述一方前端部的上述侧面的相反侧，具有相对上述棱镜的中心轴切成45度的斜面。

15.根据权利要求10所述的基板温度测定方法，其中，作为上述温度测定对象的基板由内部空心的支持构件支持，上述玻璃纤维配置在上述支持构件的内部。