[发明专利]在各像素具备补助电容的动态矩阵型显示装置

权利要求书

1、一种动态矩阵型显示装置，在各像素中具有薄膜晶体管、补助电容，其特征在于：在基板上，在各像素中形成所述薄膜晶体管作为顶栅极型；所述补助电容的第1电极是电气连接于所述薄膜晶体管的主动层；所述补助电容的第2电极是在该主动层与所述基板之间挟持绝缘层而形成，以便与所述薄膜晶体管的主动层至少进行一部分重叠。

2、如权利要求1所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于：所述补助电容的第2电极具备遮光功能。

3、如权利要求1所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于：所述补助电容的第2电极在像素开口区域以外的区域中形成，并兼作黑色矩阵。

4、如权利要求1所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于：在所述薄膜晶体管的主动层中，由于对于成膜的非晶硅层照射激光，而采用多结晶化的多晶硅层。

5、一种动态矩阵型显示装置，在各像素中具有薄膜晶体管、液晶电容、补助电容，并驱动封入于第1与第2基板间隙的液晶，以进行显示，其特征在于：在所述第1基板的液晶对向面侧，在各像素中形成所述薄膜晶体管以作为顶栅极型；所述补助电容在所述薄膜晶体管的主动层所兼作的第1电极，以及与所述薄膜晶体管的主动层与所述第1基板之间挟持绝缘膜而配置的第2电极之间的对向区域而形成。

6、如权利要求5所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于：所述补助电容的第2电极具备遮光功能。

7、如权利要求5所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于：所述补助电容的第2电极在像素开口区域以外的区域中形成，并兼作黑色矩阵。

8、如权利要求5所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于：在所述薄膜晶体管的主动层中，由于对成膜的非晶硅层照射激光，而采用多结晶化的多晶硅层。

9、一种动态矩阵型显示装置，其特征在于：具备有配置成矩阵状的像素，各自在与栅极线及数据线的交叉附近构成，并具备有：薄膜晶体管、显示元件、补助电容；其特征在于：在基板上，在各像素中形成所述薄膜晶体管以作为顶栅极型；所述补助电容的第1电极，是将所述薄膜晶体管的主动层，沿所述数据线向外延伸而构成；所述补助电容的第2电极是为了与该第1电极挟持绝缘层并重叠，而于所述第1电极和所述基板之间形成。

10、如权利要求9所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于：所述补助电容的第2电极是在像素开口区域的外的区域中由遮光性材料而形成。

11、如权利要求9所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于：所述补助电容的第2电极系形成于像素开口区域以外的区域，并兼作黑色矩阵。

12、如权利要求9所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于：在所述薄膜晶体管的主动层中，由于对成膜的非晶硅层照射激光，而采用多结晶化的多晶硅层。

13、一种动态矩阵型显示装置，具备有配置成矩阵状的像素，各自在与栅极线及数据线的交叉附近构成，并具备有：薄膜晶体管、显示元件、补助电容；其特征在于：在基板上，在各像素中形成所述薄膜晶体管以作为顶栅极型；所述补助电容的第1电极是将所述薄膜晶体管的主动层，沿所述数据线向外延伸而构成；所述补助电容的第2电极是为了与所述第1电极挟持绝缘层并重叠，而于该第1电极和所述基板之间形成；在所述数据线与所述补助电容的第1电极相重叠的区域中，在所述数据线与所述第1电极之间的层间，挟持绝缘层而形成导电性密封层。

14、如权利要求13所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于：将选择信号供给到其它行像素的薄膜晶体管的栅极线兼作所述导电性密封层。

15、如权利要求13所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于：所述补助电容的第2电极是在像素开口区域以外的区域由遮光性材料而形成。

16、如权利要求13所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于：所述补助电容的第2电极形成于像素开口区以外的区域，并兼作黑色矩阵。

17、如权利要求5所述的动态矩阵型显示装置，其特征在于：在所述薄膜晶体管的主动层中，由于对成膜的非晶硅层照射激光，而采用多结晶化的多晶硅层。