[发明专利]闪速存储器接口控制器

说明书

技术领域：

本发明属于计算机存储技术领域，特别是涉及一种用于电子仪器设备上的计算机存储器中闪速存储器(NAND FLASH MEMORY)的接口控制器。

背景技术：

闪速存储器(Flash Memory)是一类非易失性存储器NVM(Non-VolatileMemory)即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。Flash Memory集其它类非易失性存储器的特点：与EPROM相比较，闪速存储器具有明显的优势——在系统电可擦除和可重复编程，而不需要特殊的高电压(某些第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操作)；与EEPROM相比较，闪速存储器具有成本低、密度大的特点。其独特的性能使其广泛地运用于各个领域，包括嵌入式系统，如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表和汽车器件，同时还包括新兴的语音、图像、数据存储类产品，如数字相机、数字录音机和个人数字助理(PDA)。

FLASH MEMORY分为NOR FLASH及NAND FLASH两大类。

NOR技术Flash Memory具有以下特点：(1)程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行；(2)可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间很长，在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR技术显得力不从心。不过，仍有支持者在以写入为主的应用，如CompactFlash卡中继续看好这种技术。

NAND技术Flash Memory具有以下特点：(1)以页为单位进行读和编程操作，1页为256或512B(字节)；以块为单位进行擦除操作，1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。(2)数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。(3)芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bit cost)最低的固态存储器，将很快突破每兆字节1美元的价格限制。(4)芯片包含有失效块，其数目最大可达到3～35块(取决于存储器密度)。失效块不会影响有效块的性能。NAND FLASH MEMORY的总线结构采用了8位地址/数据总线，有别于NOR结构的FLASH MEMORY，使其接口逻辑关系变为复杂。

发明内容：

本发明的目的是提供一种新型的闪速存储器(NAND FLASH MEMORY)的接口控制器，使闪速存储器(NAND FLASH MEMORY)可以方便地与其他单元连接，在满足性能的基础上，达到降低成本，缩小体积的目的。相应的逻辑转换。本发明的积极效果是使闪速存储器(NAND FLASH MEMORY)能像其他存储器一样具有简单的接口，可编程逻辑器件是根据信号之间的逻辑关系，通过编写逻辑方程，进行逻辑模拟，以及逻辑仿真，形成可编程逻辑器件接受的逻辑等式，最后编程到可编程逻辑器器件中，使其达到逻辑转换的功能。同时，为了满足信号间电压的匹配，提供电压的转化。

本发明具有接口灵活，应用领域广泛，造价低，总量轻的积极效果。

附图说明：

图1：闪速存储器(NAND FLASH MEMORY)接口控制器接口信号。

图2：闪速存储器(NAND FLASH MEMORY)芯片管脚图。

图3：闪速存储器(NAND FLASH MEMORY)接口控制器电源电压转化电

     路。

图4-1-4-4：闪速存储器(NAND FLASH MEMORY)的典型操作时序。

其中图4-1是读操作时序和读操作2时序；

图4-2是序列读时序和页编程时序；

图4-3是块擦除操作时序及生产厂商和产品序列号读操作；

图4-4是状态读操作。

具体实施方式：