[发明专利]离子束增强弧辉渗镀涂层装置及工艺无效
申请号: | 02110190.6 | 申请日: | 2002-03-20 |
公开(公告)号: | CN1390975A | 公开(公告)日: | 2003-01-15 |
发明(设计)人: | 潘俊德;徐重;唐宾;田林海;张高会 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | C23C8/36 | 分类号: | C23C8/36 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 | 代理人: | 庞建英 |
地址: | 030003 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子束 增强 弧辉渗镀 涂层 装置 工艺 | ||
1.一种离子束增强弧辉渗镀涂层装置其特征在于,是在极限真空度1×10-3~5×10-3Pa并能充入气体介质的真空容器(18)内,设置阴极转动系统,阴极电弧源系统,中低能离子源系统,同时配备有抽气、供气、测温系统,其阴极转动系统由被处理工件(14)、辅助源极(11)、阴极托盘(10)和转动机构(7)组成,阴极电弧源系统由阴极电弧源(3)、引弧钩(2)和电弧电源(4)组成,送气系统是由供气瓶(15)和送气口(16)组成,测温系统是由测温仪(13)和观察孔(12)组成,抽气系统由机械泵(9)和扩散泵(8)组成,工件(14)和辅助源极(11)置于阴极托盘(10)上,阴极电弧源(3)和引弧钩(2)置于真空钟罩壁(1)上,正对于工件(14),中低能离子源(17)置于钟罩壁(1)的顶部,在阳极钟罩(1)和阴极电弧源(3)之间连接一连续可调0~100V、0~300A的直流电源(4),在阳极钟罩(1)和阴极托盘(10)之间连接一个可调的0~1000V的直流负偏电源(6),在阳极钟罩(1)和辅助源极(11)之间连接一个可调的0~1000V的直流电源(5),其阴极电弧源(3)的电弧靶材由欲渗镀的金属和合金制成,形状为圆柱形等,直径和厚度为φ50~80×35~60mm,其工件(14)周围设置的辅助源极(11)为金属丝网,与工件保持一定距离,其钟罩(1)顶部安放的离子源(17)为中低能,大束流离子源。
2.按照权利要求1所述的一种离子束增强弧辉渗镀涂层装置,其特征在于构成阴极电弧源(3)的材质是由任何可以导电的金属和合金制成,形状可以为圆形,也可以是方形,尺寸为200×400mm。
3.按照权利要求1所述的一种离子束增强弧辉渗镀涂层装置其特征在于辅助源极11是由同阴极电弧源靶材同质的金属丝网制成,与工件14保持10~30mm距离。
4.按照权利要求1所述的一种离子束增强弧辉渗镀涂层装置其特征在于,离子源17的能量为中低能3~50KeV,大束流为10~200mA。
5.采用权利要求1所述的一种离子束增强弧辉渗镀涂层装置的工艺,其特征在于,首先由抽气系统的机械泵(9)和扩散泵(8)将真空容器抽到极限真空度1×10-3~5×10-3Pa,由供气系统(15)充入Ar气,分压在1Pa~20Pa,由电源(5)供给辅助源极(11)电压400~700V,由电源(6)供给工件偏压电源200~500V,对被处理工件进行离子清洗和予升温,使工件加热到200~700℃,而后再抽真空到2×10-2~8×10-1Pa,此时给阴极电弧源(3)供电20~22V、60~150A,由阴极电弧源发射出高能量、高离化率的金属、合金的金属离子流,在工件(14)负偏压(200~500V)吸引下,高速到达工件表面形成金属和合金镀层,镀的同时打开离子源(17),由离子源注入工件表面氮,离子源能量5~40kev,束流10~150mA,工件温度400~500℃,处理时间30分钟,渗镀层厚度可达3~5μm,伪扩散层厚度可达0.5~1μm。钟罩(1)上设置金属阴极电弧源(3)渗镀金属和合金的同时,由离子源(17)注入氮可在工件(14)表面渗镀金属氮化物,若由离子源注入碳可渗镀金属碳化物硬质涂层,若同时由离子源注入碳、氮可在工件表面渗镀金属碳、氮化合物层,真空容器(18)的极限真空度为1×10-3~5×10-3Pa,充入的气体介质可以是Ar气、N2气和碳氮气体,工作气压为2×10-2~8×10-1Pa。
6.按照权利要求5所述的一种离子束增强弧辉渗镀涂层工艺其特征在于所述欲渗工件(14)渗镀金属氮、碳化合物硬质涂层的温度为200~700℃,弧源电流为50~150A,离子束能量5~40KeV,束流密度为10~150mA,工作气压为2×10-2~8×10-1Pa。工件偏压200~500V,辅助源极电压400~700V。
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