[发明专利]电泳微芯片的制作方法无效
申请号: | 02110584.7 | 申请日: | 2002-01-18 |
公开(公告)号: | CN1365003A | 公开(公告)日: | 2002-08-21 |
发明(设计)人: | 赵建龙;金庆辉;陈继锋;徐元森 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G01N27/447 | 分类号: | G01N27/447 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 邓琪 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电泳 芯片 制作方法 | ||
1.一种电泳微芯片的制作方法,其特征在于该方法包括下列步骤:
(1)电泳微芯片的设计
根据电泳微芯片的功能要求,结合相应的工艺条件,考虑以下几个参数:进样泳道和分离泳道的宽度、长度、管道的形状(包括弯道、弧度、不规格形状等),管道间的距离等进行芯片图形设计,将设计好的图形制作成掩模版;
(2)电泳微芯片的制作
选择优质石英作为芯片的基片,利用光刻湿法腐蚀方法在基片上形成凹槽等,然后利用键合技术形成微管道网络,构成电泳微芯片。
2.根据权利要求1所述的电泳微芯片的制作方法,其特征在于具体的制作过程包括下列八个步骤:
(1)将石英片按要求裁剪成一定规格如5cm×5cm,清洗干净后,用N2流吹干,80℃预烘10分钟;之后在表面镀上一层金属铬作为腐蚀图形时起保护作用的牺牲层;
(2)然后在甩胶机上涂上一层光刻胶;
(3)在光刻机中将掩模版与基片对准,紫外线曝光,将掩模版上的泳道图形转移到石英基片上;
(4)显影去掉曝光部分的光刻胶,氮气流吹干后在显微镜下检查泳道图形是否良好;
(5)100℃下坚膜1小时,用铬腐蚀液(硝酸铈氨∶高氯酸∶水=60.4g∶16ml∶320ml)去掉保护层,反应条件为室温25℃,时间2分钟,将图形转移到石英层;
(6)然后再用腐蚀液(氢氟酸∶冰醋酸∶过氧化氢=2∶1∶1),40℃水浴条件下腐蚀石英,根据腐蚀时间估算腐蚀深度,并用台阶仪测量最终深度;
(7)根据要求在设计位点打孔作储液池或样品注入和输出口,用丙酮清洗去表层的光刻胶,再用铬腐蚀液腐蚀去掉余下的铬保护层,获得刻蚀好的基片;
(8)最后键合。
3.根据权利要求2所述的电泳微芯片的制作方法,其特征在于所说的在甩胶机上涂光刻胶的条件是:采用1813号正胶,转速3000转/分,然后在80℃烘15分钟。
4.根据权利要求2所述的电泳微芯片的制作方法,其特征在于所说的键合就是把刻蚀好的基片与另一相同材料相同尺寸的盖片清洗干净后一起用亲合溶液进行亲合处理,之后清洗甩干,再在常温下将盖片和基片对齐,加压,挤出其中的气泡,实行预键合;然后在600℃的退火炉中烧结,保温6小时,缓冷出炉。
5.根据权利要求4所述的电泳微芯片的制作方法,其特征在于所说的亲合溶液为氨水、水和过氧化氢的混合物,其比例为氨水∶水∶过氧化氢=4∶5∶1;所谓亲合处理,就是在亲合溶液中加热至沸腾15分钟。
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