[发明专利]电泳微芯片的制作方法无效

专利信息
申请号: 02110584.7 申请日: 2002-01-18
公开(公告)号: CN1365003A 公开(公告)日: 2002-08-21
发明(设计)人: 赵建龙;金庆辉;陈继锋;徐元森 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G01N27/447 分类号: G01N27/447
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 邓琪
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电泳 芯片 制作方法
【权利要求书】:

1.一种电泳微芯片的制作方法,其特征在于该方法包括下列步骤:

(1)电泳微芯片的设计

根据电泳微芯片的功能要求,结合相应的工艺条件,考虑以下几个参数:进样泳道和分离泳道的宽度、长度、管道的形状(包括弯道、弧度、不规格形状等),管道间的距离等进行芯片图形设计,将设计好的图形制作成掩模版;

(2)电泳微芯片的制作

选择优质石英作为芯片的基片,利用光刻湿法腐蚀方法在基片上形成凹槽等,然后利用键合技术形成微管道网络,构成电泳微芯片。

2.根据权利要求1所述的电泳微芯片的制作方法,其特征在于具体的制作过程包括下列八个步骤:

(1)将石英片按要求裁剪成一定规格如5cm×5cm,清洗干净后,用N2流吹干,80℃预烘10分钟;之后在表面镀上一层金属铬作为腐蚀图形时起保护作用的牺牲层;

(2)然后在甩胶机上涂上一层光刻胶;

(3)在光刻机中将掩模版与基片对准,紫外线曝光,将掩模版上的泳道图形转移到石英基片上;

(4)显影去掉曝光部分的光刻胶,氮气流吹干后在显微镜下检查泳道图形是否良好;

(5)100℃下坚膜1小时,用铬腐蚀液(硝酸铈氨∶高氯酸∶水=60.4g∶16ml∶320ml)去掉保护层,反应条件为室温25℃,时间2分钟,将图形转移到石英层;

(6)然后再用腐蚀液(氢氟酸∶冰醋酸∶过氧化氢=2∶1∶1),40℃水浴条件下腐蚀石英,根据腐蚀时间估算腐蚀深度,并用台阶仪测量最终深度;

(7)根据要求在设计位点打孔作储液池或样品注入和输出口,用丙酮清洗去表层的光刻胶,再用铬腐蚀液腐蚀去掉余下的铬保护层,获得刻蚀好的基片;

(8)最后键合。

3.根据权利要求2所述的电泳微芯片的制作方法,其特征在于所说的在甩胶机上涂光刻胶的条件是:采用1813号正胶,转速3000转/分,然后在80℃烘15分钟。

4.根据权利要求2所述的电泳微芯片的制作方法,其特征在于所说的键合就是把刻蚀好的基片与另一相同材料相同尺寸的盖片清洗干净后一起用亲合溶液进行亲合处理,之后清洗甩干,再在常温下将盖片和基片对齐,加压,挤出其中的气泡,实行预键合;然后在600℃的退火炉中烧结,保温6小时,缓冷出炉。

5.根据权利要求4所述的电泳微芯片的制作方法,其特征在于所说的亲合溶液为氨水、水和过氧化氢的混合物,其比例为氨水∶水∶过氧化氢=4∶5∶1;所谓亲合处理,就是在亲合溶液中加热至沸腾15分钟。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所,未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/02110584.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top