[发明专利]极弱微磁场的测量方法无效

专利信息
申请号: 02111733.0 申请日: 2002-05-17
公开(公告)号: CN1395113A 公开(公告)日: 2003-02-05
发明(设计)人: 陈建文;高鸿奕;谢红兰;徐至展 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02
代理公司: 上海开祺专利代理有限公司 代理人: 李兰英
地址: 201800 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 极弱微 磁场 测量方法
【说明书】:

技术领域:

发明是关于一种极弱微磁场(磁通量小于10-15韦伯)的测量方法,特别是涉及电子全息术测量弱磁场。

背景技术:

对磁现象进行观察和利用,是人类最古老的技术领域之一。我们中国人远在公元之前三世纪,就使用了磁罗盘,后来又把它用于航海业。

近年来,磁测量技术获得了较大的发展,促进这种发展的主要有两个原因。(1)现实生活的需要,例如对石油和天然气采用磁力勘探,宇宙、超导现象、生物磁场等研究,阿哈拉诺夫-玻姆(简称A-B)效应验证;(2)现代物理学的成就提供了一些新的测量方法的可能性。

在先技术中对弱磁场测量有两种方法:

1.利用各种形状的线圈与电流计相结合,这种方法被广泛地应用于地磁测量、宇宙测量、勘探矿床等[参见在先技术:磁场参数测量工具,(苏)阿拉法谢耶夫等著,科学出版社,1983]。

2.利用各种磁强计。上述两种方法的主要缺点是:灵敏度低,测量灵敏度为1×10-10~10-12韦伯,对于许多特殊应用,例如上述的A-B效应验证和漏磁场测量都不能满足要求。

发明内容:

本发明针对上述在先技术中的缺点,提出一种用电子全息技术测量极弱微磁场的方法。主要是测量磁场的磁通量。

本发明的测量方法中所用的电子全息技术是两步成像过程,第一步以干涉条纹的形式将物体波面记录下电子全息图;第二步利用衍射原理,将电子全息图中的信息进行解码,显然这种成像是将物像在空间和时间上分离。第一步在记录时用一种波长,本发明中采用0.03nm;第二步重现可用另一种波长,本发明中用632.8nm。在第二步重构过程中还可进行各种技术处理。电子全息的特点不仅在于电子的德布罗意波长很短(100KV电子的波长约为0.03nm),能获得高分辨率的重现像,更重要的是电子是带电粒子,当电子束通过电磁场区域时,电子波的位相携带有电磁场的信息,因而是探测电磁场的有力工具。

本发明的测量方法的具体做法是:

<1>由磁性材料构成的待测样品,为了能使电子束穿过待测样品,要将待测样品减薄到小于或等于500nm(纳米)厚度;

<2>将待测样品放在电子显微镜中拍摄待测样品的电子全息图;

<3>将拍摄好的带有待测样品电子全息图的电子干板置放在光学马赫-陈特尔干涉仪上进行位相差放大,获得干涉图,读取干涉图中的干涉条纹数目N,求得待测样品的磁通量φ, φ = ( N - 1 ) h 2 n e - - - ( 1 ) ]]>式中N为干涉条纹数目,n为位相差放大次数,h为普朗克常数,e为电子电荷。

关于电磁场影响电子波的位相,可用量子理论解释。当电子经过电磁场后,位相变化为

    Δ(x0y0)=(π/λVa)∫V(x0,y0,z)ds-(2πe/h)∫A(x0,y0,z)dz    (2)式中λ为电子的德布罗意波波长,Va为电子的加速动能,V为静电势,h为普朗克常数,e为电子电荷,A为磁矢势。

通常电子的偏转角很小,许多理论和实验已经证明了积分可沿电子的入射方向Z轴进行,则

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