[发明专利]半导体激光器宽范围外腔可调谐方法有效
申请号: | 02115991.2 | 申请日: | 2002-06-18 |
公开(公告)号: | CN1392695A | 公开(公告)日: | 2003-01-22 |
发明(设计)人: | 王正选;李传文 | 申请(专利权)人: | 武汉光迅科技有限责任公司 |
主分类号: | H04J14/02 | 分类号: | H04J14/02;H01S5/14 |
代理公司: | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人: | 刘志菊 |
地址: | 430074 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体激光器 范围 外腔可 调谐 方法 | ||
1、一种半导体激光器宽范围外腔可调谐方法,由激光器和可调谐滤波器实现,其特征是放置在半导体致冷器上的半导体激光器或放大器芯片两端通过耦合装置与两个可调谐滤波器高效耦合,构成一个具有选频功能的外谐振腔,通过对两个滤波器进行调谐可以选择其谐振波长,得到所需要波长的激光输出,而其它波长不会激射,使激光器有较宽的调谐范围,调谐范围主要由滤波器具体结构及芯片的增益谱宽决定。
2、根据权利要求1所述的宽范围外腔可调谐方法,其特征是半导体激光器或放大器芯片两端面镀增透膜。
3、根据权利要求1所述的宽范围外腔可调谐方法,其特征是可调谐滤波器的反射光谱为离散的梳状光谱,两个可调谐滤波器的峰值间距不同。
4、根据权利要求1所述的宽范围外腔可调谐方法,其特征是可调谐滤波器反射谱与半导体激光器或放大器芯片增益谱范围相近。
5、根据权利要求1所述的宽范围外腔可调谐方法,其特征是可以通过调整半导体致冷器的温度对激光器进行相位调节。
6、根据权利要求1所述的宽范围外腔可调谐方法,其特征是滤波器可以是取样光栅型可调滤波器滤。
7、根据权利要求1所述的宽范围外腔可调谐方法,其特征是滤波器可以是FP腔型可调滤波器。
8、根据权利要求1所述的宽范围外腔可调谐方法,其特征耦合装置可以由准直器和球透镜构成或由多个球透镜构成。
9、根据权利要求1所述的宽范围外腔可调谐方法,其特征是耦合装置可以由非球透镜构成。
10、根据权利要求1所述的宽范围外腔可调谐方法,其特征是耦合装置可以由顶部烧制或磨制小球的透镜光纤构成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光迅科技有限责任公司,未经武汉光迅科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/02115991.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:废塑料炼油工艺及设备
- 下一篇:环保型建筑内墙涂料及其生产方法