[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于具有：

在半导体衬底上形成的铜布线层；

与上述铜布线层导通，并包含铜和比铜更易氧化的金属的合金层形成至底面的焊盘电极层和；

备有到达上述焊盘电极层的开口部的绝缘性保护膜。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

比上述铜更易氧化的金属包含铝(Al)、钛(Ti)、钽(Ta)、锆(Zr)、钒(V)、锡(Sn)、钨(W)、钴(Co)、铁(Fe)、镍(Ni)、钌(Ru)、铬(Cr)、钼(Mo)、铌(Nb)、铪(Hf)、镁(Mg)、铍(Be)中的至少一种。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

在上述焊盘电极层中，比上述铜更易氧化的金属浓度在上表面附近区域最大、其下方向更低。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：

在上述焊盘电极层的上表面附近的区域中，比上述铜更易氧化的金属浓度为2原子％以上。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述焊盘电极层作为表层具有以比上述铜更易氧化的金属为主成分的氧化层，

导电性构件贯通上述氧化层的一部分，与上述焊盘电极层电连接。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述焊盘电极层在其表层部具有第1氧化层，在其下方向包含铜和比铜更易氧化的金属的第1合金层、第2氧化层层、以及和上述第1合金层相比上述铜更易氧化的金属的浓度更低的第2合金层依次构成为层积状。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述焊盘电极层为突入有绝缘性构件的结构。

8.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：

上述导电性构件是导电丝或导电性凸点，并且与上述焊盘电极层键合。

9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于具有：

在半导体衬底上形成绝缘膜的工艺；

在上述绝缘膜内形成铜布线层的工艺；

在上述铜布线层上形成绝缘性保护膜的工艺；

在上述绝缘性保护膜中形成到达上述铜布线层的开口部的工艺；

在上述开口部内的铜布线层上形成比铜更易氧化的金属膜、或含有比铜更易氧化的金属的合金膜的工艺；

进行热处理，在上述铜布线层中扩散上述金属或上述合金，将包含铜和比铜更易氧化的金属的合金生成至上述铜布线层的底面并形成焊盘电极层，并且，在上述焊盘电极层的表层部形成以上述金属为主成分的氧化层的工艺。

10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于具有：

在半导体衬底上形成绝缘膜的工艺；

在上述绝缘膜内形成铜布线层的工艺；

在上述铜布线层上形成绝缘性保护膜的工艺；

在上述绝缘性保护膜形成到达上述铜布线层的开口部的工艺；

一边进行加热，一边在上述铜布线层上形成比铜更易氧化的金属膜、或含有比铜更易氧化的金属的合金膜，这样，在上述铜布线层中扩散上述金属或上述合金，将包含铜和比铜更易氧化的金属的合金形成至上述铜布线层的底面并形成焊盘电极层，并且，在上述焊盘电极层的表层部形成以上述金属为主成分的氧化层的工艺。

11.一种半导体器件，其特征在于具有：

布线焊盘；

具有设置在上述布线焊盘上，到达上述布线焊盘的多个接触孔的绝缘膜；

经上述绝缘膜设置在上述布线焊盘上，经上述多个接触孔与上述布线焊盘电连接的、对应上述布线焊盘的导电性保护层。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于：

上述多个接触孔配设在上述布线焊盘的边缘部。

13.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于：

上述接触孔的直径为大于0.5μm、小于10μm。

14.一种半导体器件，其特征在于具有：

备有开口部的绝缘膜；

设置在上述开口部内的多个绝缘柱；

在上述开口部内埋入到该开口部中途深度的布线焊盘；

埋入上述开口部内的、对应于设置在上述布线焊盘上的上述布线焊盘的导电性保护层。