[发明专利]光信息记录介质无效
申请号: | 02118520.4 | 申请日: | 2002-04-26 |
公开(公告)号: | CN1383143A | 公开(公告)日: | 2002-12-04 |
发明(设计)人: | 角田毅;齐藤真二;石田寿男 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;C09B47/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信息 记录 介质 | ||
1、一种光记录介质,是使用450nm以下的激光和数值孔径(NA)0.7以上的物镜进行记录再现的光记录介质,其特征在于,在形成了轨道间距为200~400nm、槽深为50~150nm、槽半值宽度为90~200nm的凹槽的基板上,依次设置有反射层、记录层和覆盖层,且前述记录层含有在600~800nm和300~400nm分别具有极大吸收在1以上的有机物。
2、权利要求1记载的光记录介质,其特征在于,前述有机物是选自花青苷类有机物、氨基丁二烯类有机物、苯并三唑类有机物、酞菁类有机物和玫红花青苷类有机物的有机物。
3、权利要求1记载的光记录介质,其特征在于,前述有机物是在600~700nm和300~400nm分别具有极大吸收在1以上的酞菁有机物。
4、权利要求1记载的光记录介质,其特征在于,前述基板是聚碳酸酯。
5、权利要求1记载的光记录介质,其特征在于,前述反射层含有选自Au和Ag的贵金属。
6、权利要求1记载的光记录介质,其特征在于,前述槽的深度为60~110nm。
7、一种光记录介质,是使用450nm以下的激光和数值孔径(NA)0.5以上0.7以下的物镜进行记录再现的光记录介质,其特征在于,在形成了轨道间距为200~400nm、槽深为50~150nm、槽半值宽度为90~200nm的凹槽的基板上,依次设置记录层和反射层,且前述记录层含有在600~800nm和300~400nm分别具有极大吸收在1以上的有机物。
8、权利要求7记载的光记录介质,其特征在于,前述有机物是选自花青苷类有机物、氨基丁二烯类有机物、苯并三唑类有机物、酞菁类有机物和玫红花青苷类有机物的有机物。
9、权利要求7记载的光记录介质,其特征在于,前述有机物是在600~700nm和300~400nm分别具有极大吸收在1以上的酞菁有机物。
10、权利要求7记载的光记录介质,其特征在于,前述基板是聚碳酸酯。
11、权利要求7记载的光记录介质,其特征在于,前述反射层含有选自Au和Ag的贵金属。
12、权利要求7记载的光记录介质,其特征在于,前述槽的深度为80~120nm。
13、一种光信息记录介质,是在基板上具有通过数值孔径(NA)0.7以上的透镜照射波长380~500nm的激光从而可记录信息的记录层的光信息记录介质,其特征在于,在前述基板上的反射层上的前述记录层上设置有片材层,前述记录层是含有有机物的层,且前述基板的槽深是15~45nm,轨道间距为250~400nm,槽半值宽度为60~200nm,槽的倾斜角为40~80°。
14、权利要求13记载的光记录介质,其特征在于,前述有机物是酞菁衍生物。
15、权利要求14记载的光记录介质,其特征在于,前述酞菁衍生物是下述式(I)所示的化合物,
通式(I)[式(I)中,R表示取代基,n表示1~8的整数,n是2以上的整数时,多个R可相互相同,也可不同,M表示2个氢原子、金属、金属氧化物或有配体的金属。]
16、权利要求13记载的光记录介质,其特征在于,前述有机物是苯并三唑衍生物。
17、权利要求16记载的光记录介质,其特征在于,前述苯并三唑衍生物是下述式(II)所示的化合物,
通式(II)[式(II)中,h和k分别独立地表示1~3的整数,R3和R4表示取代基,r和s表示0~3的整数,其中,h=1且r0时,R3表示选自碳原子数2~16的烷基、碳原子数6~14的芳基、碳原子数7~15的芳烷基、碳原子数1~16的烷氧基、碳原子数6~14的芳氧基、碳原子数2~17的烷氧基羰基、碳原子数1~10的氨基甲酰基、碳原子数1~10的酰胺基、碳原子数2~17的酰基氧基和卤素原子的取代基]。
18、权利要求13记载的光记录介质,其特征在于,前述基板的轨道间距在280~350nm的范围。
19、权利要求13记载的光记录介质,其特征在于,前述基板的半值宽度在80~150nm的范围。
20、权利要求13记载的光记录介质,其特征在于,前述基板的槽深在20~40nm的范围。
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