[发明专利]无电解铜电镀液和高频电子元件

权利要求书

1.一种无电解铜电镀液，其特征在于，包括：

铜盐；

镍盐；

甲醛或其衍生物；和

酒石酸或酒石酸盐。

2.如权利要求1所述的无电解铜电镀液，其特征在于，镍、铜离子克分子含量之比约为0.0001～0.015。

3.如权利要求2所述的无电解铜电镀液，其特征在于，镍、铜离子克分子含量之比约为0.0001～0.01。

4.如权利3所述的无电解铜电镀液，其特征在于，镍、铜离子克分子含量之比约为0.0005～0.05。

5.如权利要求4所述的无电解铜电镀液，其特征在于，所述镍、铜盐为硫酸盐。

6.如权利要求5的无电解铜电镀液，其特征在于，酒石酸或酒石酸盐是罗谢尔盐。

7.如权利要求2所述的无电解铜电镀液，其特征在于，所述镍、铜盐是硫酸盐。

8.如权利要求7所述的无电解铜电镀液，其特征在于，酒石酸或酒石酸盐是罗谢尔盐。

9.如权利要求1所述的无电解铜电镀液，其特征在于，所述镍、铜盐是硫酸盐。

10.如权利要求9所述的无电解铜电镀液，其特征在于，所述酒石酸或酒石酸盐是罗谢尔盐。

11.一种在支架上含有铜镀膜的高频电子元件，其特征在于，所述铜镀膜用权利要求6所述的电镀铜溶液电镀形成。

12.一种在支架上含有铜镀膜的高频电子元件，其特征在于，所述铜镀膜用权利要求2所述的电镀铜溶液电镀形成。

13.一种在支架上含有铜镀膜的高频电子元件，其特征在于，所述铜镀膜用权利要求1所述的电镀铜溶液电镀形成。

14.一种高频电子元件，其特征在于，包括：

有一表面的陶瓷；和

所述陶瓷表面上的金属膜；

其中金属膜包括含镍的铜，镍与铜的克分子含量之比约为0.0001～0.015。

15.如权利要求14所述的高频电子元件，其特征在于，所述金属膜包括含镍的铜，镍与铜的克分子含量之比约为0.0001～0.01。

16.如权利要求15所述的高频电子元件，其特征在于，所述金属膜包括含镍的铜，镍与铜的克分子含量之比约为0.0005～0.05。

17.一种形成权利要求16所述的高频电子元件的方法，其特征在于，包括在一种通气的溶液中对陶瓷作无电镀，所述溶液含有铜盐、镍盐、甲醛或其衍生物和酒石酸或酒石酸盐，其中镍与铜离子的克分子含量之比约为0.0005～0.05，通气速率约为0.2～0.4升/分钟。

18.一种形成权利要求15所述的高频电子元件的方法，其特征在于，包括在一种通气的溶液中对陶瓷作无电镀，所述溶液含有铜盐、镍盐、甲醛或其衍生物和酒石酸或酒石酸盐，其中镍与铜离子的克分子含量之比约为0.0001～0.015，通气速率约为0.1～0.5升/分钟。

19.一种形成权利要求14所述的高频电子元件的方法，其特征在于，包括在一种通气的溶液中对陶瓷作无电镀，所述溶液含有铜盐、镍盐、甲醛或其衍生物和酒石酸或酒石酸盐，其中镍与铜离子的克分子含量之比约为0.0001～0.015，通气速率约0.1～0.5升/分钟。

20.一种形成权利要求19所述的高频电子元件的方法，其中陶瓷在无电镀之前已腐蚀。