[发明专利]硅锭块生长装置有效
申请号: | 02118853.X | 申请日: | 2002-04-29 |
公开(公告)号: | CN1392296A | 公开(公告)日: | 2003-01-22 |
发明(设计)人: | 李洪雨;崔埈荣;赵铉鼎 | 申请(专利权)人: | 希特隆股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/10 | 分类号: | C30B15/10;C30B15/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘晓峰 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅锭块 生长 装置 | ||
1、一种硅锭块生长装置,其包含:石墨坩埚,其中装有石英坩埚;
传动轴,它与石墨坩埚的下部相连接,可使石墨坩埚实现旋转和上下移动,并为石墨坩埚提供支承,该传动轴包含内部中空的空心轴部分、与空心轴部分底部相连接的用于抑制热传递的绝热轴部分以及与绝热轴部分底部相连接的圆柱形轴部分;
用于石墨坩埚加热的加热装置;以及
用于石墨坩埚、加热装置和部分传动轴的保护和与外界环境实现温度隔离的绝热墙。
2、根据权利要求1述的装置,其特征在于其绝热轴采用非均质性绝热材料制成。
3、根据权利要求1所述的装置,其特征在于其空心和圆柱形轴部分都采用基于石墨的材料制成,而且其空心的孔径最小应为空心轴部分整个直径的30%。
4、根据权利要求第3所述的装置,其特征在于其空心孔径为整个直径的50%-70%之间。
5、根据权利要求第1所述的装置,其特征在于其绝热轴部分的安装位置在传动轴上下移动过程中与绝热墙相对应。
6、根据权利要求第2所述的装置,其特征在于其绝热轴部分采用多个非均质性绝热盘重叠的方法制成。
7、根据权利要求第3所述的装置,其特征在于该绝热轴部分采用多个非均质绝热盘重叠的方法制成,其中非均质绝缘体的方向彼此交叉。
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