[发明专利]相移掩膜的制作方法有效
| 申请号： | 02119016.X | 申请日： | 2002-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1455298A | 公开（公告）日： | 2003-11-12 |
| 发明（设计）人： | 钟维民;洪齐元;张庆裕;吴义镳 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/08 | 分类号： | G03F1/08 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民,王刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相移 制作方法 | ||
【说明书】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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