[发明专利]构图铟锡氧化物的蚀刻剂和制造液晶显示装置的方法

权利要求书

1.一种用于构图铟锡氧化物的蚀刻剂，其特征在于，所述蚀刻剂是HCl、CH₃COOH和水的混合溶液。

2.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其特征在于，HCl和CH₃COOH占混合溶液总重量的2％到20％。

3.根据权利要求2所述的蚀刻剂，其特征在于，HCl和CH₃COOH分别在重量上为1∶1到1∶10。

4.根据权利要求2所述的蚀刻剂，其特征在于，HCl和CH₃COOH分别在重量上为10∶1到1∶1。

5.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其特征在于，HCl和CH₃COOH占混合溶液总重量的6％到20％。

6.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其特征在于，HCl和CH₃COOH占混合溶液总重量的10％。

7.根据权利要求6所述的蚀刻剂，其特征在于，HCl和CH₃COOH分别占混合溶液总重量的5％。

8.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其特征在于，所述铟锡氧化物为非晶体。

9.一种制造液晶显示装置的方法，包括下列步骤：

在衬底上形成栅极；

在包含衬底的栅极上形成栅极绝缘层和非晶硅层；

通过构图非晶硅层形成有源区域；

在有源区域上形成源极和漏极；

在源极、漏极和栅极绝缘层上形成钝化层；

形成针孔用于露出漏极的一部分；

在钝化层上形成铟锡氧化物层；

使用HCl、CH₃COOH和水的混合溶液作为蚀刻剂，通过选择性地蚀刻铟锡氧化物层，形成铟锡氧化物电极。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，HCl和CH₃COOH占混合溶液总重量的20％。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，HCl和CH₃COOH分别占混合溶液总重量的1％到10％。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，HCl和CH₃COOH分别占混合溶液总重量的3％到10％。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，HCl和CH₃COOH分别占混合溶液总重量的5％。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，通过浸渍工艺对铟锡氧化物层进行蚀刻。

15.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，通过喷溅工艺对铟锡氧化物层进行蚀刻。

16.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述铟锡氧化物层为非晶体。

17.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述源极和漏极由钼和钼合金之一形成。

18.一种制造液晶显示装置的方法，包括下列步骤：

在衬底上形成栅极；

在包含衬底的栅极上形成栅极绝缘层和非晶硅层；

通过构图非晶硅层形成有源区域；

在有源区域上形成钼源极和钼漏极；

在钼源极、钼漏极和栅极绝缘层上形成钝化层；

形成针孔用于露出漏极的一部分；

在钝化层上形成铟锡氧化物层；和

使用HCl、CH₃COOH和水的混合溶液作为蚀刻剂，通过喷溅工艺，选择性地蚀刻铟锡氧化物层，形成铟锡氧化物电极。