[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 02119113.1 | 申请日： | 2002-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1384541A | 公开（公告）日： | 2002-12-11 |
| 发明（设计）人： | 宫坂洋一 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/283;H01L21/31;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，用于具有电介质电容器的半导体器件，其特征在于，该方法包括：
形成下部电极的第一工序；
在所述下部电极上，形成在表面上带有凹凸的多晶的电介质薄膜的第二工序；
将所述电介质薄膜的规定膜厚的表层部熔融，通过急热急冷来使其表面平坦的第三工序；以及
在所述电介质薄膜上形成上部电极的第四工序。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过所述第二工序形成的电介质薄膜的表面粗糙度的最大高度在50nm以上。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，从通过所述第二工序形成的电介质薄膜的下部电极侧底面至最大凸部顶点的厚度在200nm以上。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过所述第二工序形成的电介质薄膜的晶粒的长宽比在2.5以上。
5.一种半导体器件的制造方法，用于具有电介质电容器的半导体器件，其特征在于，该方法包括：
形成下部电极的第一工序；
在所述下部电极上形成包含规定粒径的结晶的多晶的电介质薄膜的第二工序；
一边使所述电介质薄膜的规定膜厚的表层部维持使其下层部不失去电介质的期望特性程度的晶体粒径，一边形成非晶质的微结晶的处理膜的第三工序；以及
在所述电介质薄膜上形成上部电极的第四工序。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述电介质的期望特性是极化磁滞特性。
7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述第三工序和所述第四工序之间，包括对急热或急冷或非晶质的微结晶的所述表层部进行平坦腐蚀的第五工序。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述第五工序和所述第四工序之间，包括对所述腐蚀后的所述电介质薄膜的表层部进行退火处理的第六工序。
9.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过所述第五工序来露出多晶的电介质薄膜表面的平坦面。
10.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第四工序的电介质薄膜包含50nm以上的晶体粒径。
11.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二工序的电介质薄膜在摄氏500度以下的温度中通过化学气相生长而形成。
12.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第三工序和所述第六工序通过将准分子激光照射到所述电介质薄膜表面上来进行。
13.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述准分子激光是XeCl准分子激光。
14.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第六工序的准分子激光的能量密度比所述第三工序的准分子激光的能量密度低。
15.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第三工序的准分子激光的能量密度为160～200mJ/cm2。
16.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第六工序的准分子激光的能量密度为140～160mJ/cm2。
17.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，用所述第二工序形成的所述电介质薄膜由钙钛矿型结晶构造的电介质组成。
18.如权利要求5的半导体器件的制造方法，其特征在于，用所述第二工序形成的所述电介质薄膜由强电介质或高介电常数物质构成。
19.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述腐蚀是等离子体腐蚀。
20.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述电介质电容器前，包括有选择地形成至少一层的金属布线的工序。
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