[发明专利]半导体激光器件无效
| 申请号： | 02119180.8 | 申请日： | 2002-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1392641A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 阿部真司;八木哲哉;宫下宗治;西口晴美;大仓裕二;笠井信之;田代贺久;谷村纯二 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
1.一种半导体激光器件，它是具有借助于硅离子注入和其后的热处理使量子阱结构的有源层无序化而形成的窗结构区的半导体激光器件，其特征在于：
在上述窗结构区及其附近实际上不存在位错环。
2.如权利要求1所述的半导体激光器件，其特征在于：
通过用透射型电子显微镜观察，在窗结构区及其附近未观察到位错环。
3.如权利要求2所述的半导体激光器件，其特征在于：
上述透射电子显微镜的分辨率高于1.7。
4.如权利要求1所述的半导体激光器件，其特征在于：
作为掺入与有源层相邻的P型夹层的P型掺杂剂，使用了碳。
5.如权利要求1所述的半导体激光器件，其特征在于：
作为掺入与有源层相邻的P型夹层的P型掺杂剂，使用了镁。
6.一种半导体激光器件，它是具有借助于硅离子注入和其后的热处理使量子阱结构的有源层无序化而形成的窗结构区的半导体激光器件，其特征在于：
上述窗结构区及其附近的硅浓度的峰值在1.0×1018～1.0×1019原子/cm3的范围内。
7.如权利要求6所述的半导体激光器件，其特征在于：
作为掺入与有源层相邻的P型夹层的P型掺杂剂，使用了碳。
8.如权利要求6所述的半导体激光器件，其特征在于：
作为掺入与有源层相邻的P型夹层的P型掺杂剂，使用了镁。
9.一种半导体激光器件的制造方法，它是在有源层具有窗结构区的半导体激光器件的制造方法，其特征在于：
它包含使上述窗结构区及其附近的硅浓度的峰值在1.0×1018～1.0×1019原子/cm3的范围内的离子注入工艺。
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